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王贯江

作品数:5 被引量:1H指数:1
供职机构:北京大学更多>>
发文基金:北京市自然科学基金国家自然科学基金北京市属高等学校人才强教计划资助项目更多>>
相关领域:电气工程电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇
  • 3篇电路
  • 3篇微电子
  • 3篇绝缘
  • 3篇绝缘层
  • 2篇电镀
  • 2篇电子电路
  • 2篇通孔
  • 2篇子电路
  • 2篇微电子电路
  • 2篇布线
  • 1篇电子封装
  • 1篇叠层
  • 1篇叠层封装
  • 1篇信号
  • 1篇信号完整性
  • 1篇三维集成电路
  • 1篇设计规范
  • 1篇完整性
  • 1篇微电子封装

机构

  • 5篇北京大学
  • 1篇北京信息科技...

作者

  • 5篇王贯江
  • 4篇金玉丰
  • 4篇孙新
  • 4篇缪旻
  • 3篇马盛林
  • 2篇朱蕴晖
  • 1篇朱韫晖
  • 1篇方孺牛
  • 1篇许一超

传媒

  • 1篇测试技术学报

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
三维集成电路高频设计规范与信号完整性测试方法初探
随着当今发展,不论是商业还是个人,对计算设备的需求都越来越高,要求具备更高的带宽,更快的速度,以及更高的异质集成度。而基于TSV(ThroughSilicon Via)技术的三维集成是目前最有前景成为下一代集成电路的新概...
王贯江
关键词:三维集成电路垂直互连信号完整性
一种硅通孔互连结构的制作方法
本发明公开了一种硅通孔互连结构的制作方法,属于微电子封装领域。本方法为:1)在硅晶圆正面粘接一玻璃晶圆;2)将所述硅晶圆背面减薄至目标厚度,并制备所述硅晶圆的硅通孔;3)在所述硅晶圆背面依次沉积绝缘层、种子层;4)在所述...
马盛林王贯江孙新朱蕴晖陈兢缪旻金玉丰
一种叠层封装结构及制造方法
本发明涉及微电子封装领域,具体的公开了一种叠层封装结构及制造方法,所述叠层封装结构包括多个层叠的封装衬底及每层封装衬底上装载的至少一个半导体芯片;所述半导体芯片与其所在层的封装衬底之间为电连接;所述每层封装衬底上设有至少...
马盛林王贯江朱韫晖孙新陈兢缪旻金玉丰
文献传递
一种硅通孔互连结构的制作方法
本发明公开了一种硅通孔互连结构的制作方法,属于微电子封装领域。本方法为:1)在硅晶圆正面粘接一玻璃晶圆;2)将所述硅晶圆背面减薄至目标厚度,并制备所述硅晶圆的硅通孔;3)在所述硅晶圆背面依次沉积绝缘层、种子层;4)在所述...
马盛林王贯江孙新朱蕴晖陈兢缪旻金玉丰
文献传递
TSV绝缘层完整性在线测试方法研究被引量:1
2012年
硅通孔(TSV)技术是先进的三维系统级封装(3D SIP)集成技术乃至三维集成电路(3D IC)集成技术的核心.TSV绝缘完整性是决定其电性能和长期可靠性的关键因素,在生产过程中对该特性进行在线(in-line)测试,及早筛除有缺陷的产品晶圆,可以有效降低总生产成本.本文提出在晶圆减薄前,通过探针与相邻两个TSV盲孔顶部接触进行I-V特性测试,得到两孔间漏电流数据,绘成曲线.若所得I-V曲线在电压为7 V~10 V时基本呈线性上升,且漏电流为几十皮安量级,则可初步判断该TSV盲孔对的绝缘完整性合格,可进入下一步工艺流程.若I-V曲线在电压为7V或更低时出现漏电流陡增甚至击穿特性,则可以判断该TSV盲孔对中有一个或两个的绝缘完整性已经受损.通过有限元仿真阐释了测试机理,并进行了试验验证.
缪旻许一超王贯江孙新方孺牛金玉丰
关键词:漏电流
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