牟晋博
- 作品数：5 被引量：0H指数：0
- 供职机构：吉林大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划吉林省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
- 硅材料中电光效应的测量与区分
- 提出了一种实验方法，可以将硅中的Kerr效应、场致线性电光效应、和载流子色散效应有效区分开来，并分别获得这些效应对电光调制作用的贡献大小，对此进行了概述。
- 王振宇朱景程刘秀环牟晋博贾刚陈占国
- 关键词：电光调制器硅材料电光效应
- 基于场致线性电光效应硅基电光调制器的初步设计与研制
- 本论文分析了硅材料中场致线性电光效应和等离子色散效应的物理机制，并采用一种横向电光调制系统对两种效应进行了实验测量和区分，实验结果表明在近本征硅材料中，场致线性电光效应是主要的电光响应机制，为此，我们尝试以场致线性电光效...
- 牟晋博
- 关键词：线性电光效应有效折射率法光束传播法
- 文献传递
- [110]晶向近本征硅单晶双光子吸收各向异性
- 2012年
- 以沿[110]晶向切割的近本征硅单晶为样品,通过研究样品对连续波固体激光器所产生的1.3μm的近红外光的双光子吸收所诱导的光电流对入射光偏振方向的依赖关系,研究了双光子吸收的各向异性.测得了硅单晶对该波长的光的三阶极化率张量χ(3)的各向异性系数为-0.25,两个独立分量的比值χxxxx/χxxyy的幅度为2.4,并基于前期工作所得的χxxyy的结果,进而确定了另一分量χxxxx的值大约为1.49×10-19m2/V2.
- 刘秀环李明利陈占国贾刚时宝朱景程牟晋博李一
- 关键词：非线性光学硅单晶双光子吸收三阶极化率
- 硅材料外加直流电场诱导的线性电光效应
- 2011年
- 在直流电场作用下,硅单晶的反演对称性被破坏,从而诱导产生二阶非线性光学效应。主要研究了硅材料在外加直流电场作用下诱导产生的场致线性电光效应。以沿(111)面切割的近本征硅材料为样品,采用平行板电容器结构,通过横向电光调制实验,观测到在不同直流偏压下,电光信号随调制电压而线性增加,且直流偏压越大,电光信号增加的斜率越大。进一步的研究表明:硅材料场致线性电光信号的大小随直流偏压的增加而线性增加。这种场致线性电光效应可被用于制作新型的硅基高速电光调制器。
- 朱景程贾刚刘秀环孙鉴波张志平赵建勋牟晋博陈占国
- 关键词：二阶非线性光学效应
- 硅材料中场致线性电光效应与等离子体色散效应
- 理想的硅单晶是具有反演对称性的半导体材料，因而不具有线性电光效应等二阶非线性光学效应。尽管硅材料中也存在克尔效应、Franz-Keldysh效应等通过外加电场改变材料折射率的现象，但是这些效应都很微弱，无法应用这些效应制...
- 朱景程张志平牟晋博王振宇贾刚刘秀环陈占国
- 关键词：硅材料
