吕懿
- 作品数：78 被引量：57H指数：6
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家部委预研基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 一种混合晶面平面应变BiCMOS集成器件及制备方法
- 本发明公开了一种混合晶面平面应变BiCMOS集成器件及电路制备方法。其过程为：制备一片SOI衬底，上层的基体材料为（110）晶面，下层的基体材料为（100）晶面；在双极器件区域制造常规的Si双极晶体管；在NMOS器件区域...
- 张鹤鸣李妤晨宋建军胡辉勇宣荣喜吕懿舒斌郝跃
- 文献传递
- SiGe HBT势垒电容模型被引量：9
- 2004年
- 在考虑SiGeHBT的势垒电容时 ,通常的耗尽层近似不再适用 ,应考虑可动载流子的影响 .在分析研究SiGeHBT载流子输运的基础上 ,建立了考虑发射结势垒区内载流子分布的发射结势垒电容模型和不同电流密度下包括基区扩展效应的集电结势垒电容模型 .将以上势垒电容模型应用于SiGeHBT频率特性模拟 。
- 吕懿张鹤鸣戴显英胡辉勇舒斌
- 关键词：SIGEHBT势垒电容载流子分布异质结双极晶体管
- 一种三应变三多晶平面BiCMOS集成器件及制备方法
- 本发明公开了一种三应变、三多晶平面BiCMOS集成器件及制备方法，在衬底片上制备埋层，生长N型Si外延，制备深槽隔离，制备集电极接触区，再制备基区和发射区，然后形成SiGe HBT器件；刻蚀出NMOS和PMOS器件有源区...
- 胡辉勇宋建军宣荣喜舒斌张鹤鸣李妤晨吕懿郝跃
- 宽禁带半导体金刚石被引量：13
- 2004年
- 较详细地叙述了当前国内外正处在研究热潮中的金刚石半导体的优越性质、发展状况及其应用和潜在的应用前景。同时分析和比较了金刚石薄膜的各种制备方法,可以看出微波等离子体化学汽相沉积法是较好的制备金刚石薄膜的生长技术,并且分析了该技术的特点和优势。该法在保持适当氩气氛和施加衬底负偏压下还可进一步提高金刚石膜的生长速率和质量。对于金刚石异质(在硅衬底上)成核的基本机理也进行了分析。最后,阐述了研究金刚石半导体薄膜目前需要解决的关键问题及其发展方向。
- 李发宁张鹤鸣戴显英朱国良吕懿
- 关键词：宽禁带金刚石MPCVD大功率
- 一种混合晶面双多晶BiCMOS集成器件及制备方法
- 本发明公开了一种混合晶面双多晶BiCMOS集成器件及制备方法，包括：在制备双晶面的SOI衬底与深槽隔离之后，在双极器件区域刻蚀深槽，在该槽中连续生长制备器件的集电区、基区和发射区，多晶硅基极和发射极，形成SiGe HBT...
- 张鹤鸣吕懿周春宇宣荣喜胡辉勇舒斌宋建军郝跃
- 文献传递
- 单轴应变Si NMOSFET热载流子栅电流模型被引量：1
- 2014年
- 热载流子效应产生的栅电流是影响器件功耗及可靠性的重要因素之一,本文基于热载流子形成的物理过程,建立了单轴应变硅NMOSFET热载流子栅电流模型,并对热载流子栅电流与应力强度、沟道掺杂浓度、栅源电压、漏源电压等的关系,以及TDDB(经时击穿)寿命与栅源电压的关系进行了分析研究.结果表明,与体硅器件相比,单轴应变硅MOS器件不仅具有较小的热载流子栅电流,而且可靠性也获得提高.同时模型仿真结果与单轴应变硅NMOSFET的实验结果符合较好,验证了该模型的可行性.
- 吕懿张鹤鸣胡辉勇杨晋勇
- 关键词：热载流子
- 一种三应变全平面SOI BiCMOS集成器件及制备方法
- 本发明公开了一种三应变全平面SOI BiCMOS集成器件及制备方法，在SOI衬底上连续生长N-Si、P-SiGe、N-Si层，制备深槽隔离，分别光刻集电区、基区浅槽隔离区域，进行离子注入，形成集电极、基极以及发射极接触区...
- 张鹤鸣吕懿宣荣喜王斌胡辉勇周春宇宋建军郝跃
- 文献传递
- 一种应变SiGe回型沟道BiCMOS集成器件及制备方法
- 本发明公开了一种应变SiGe回型沟道BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：在SOI衬底上生长N型Si外延层作为双极器件集电区，制备深槽隔离，然后依次制备基极多晶、基区、发射区以及集电极，形成SiGe HBT器件；在衬...
- 胡辉勇宋建军宣荣喜舒斌张鹤鸣李妤晨吕懿郝跃
- 文献传递
- 一种混合晶面垂直沟道应变BiCMOS集成器件及制备方法
- 本发明公开了一种混合晶面垂直沟道应变BiCMOS集成器件及制备方法，制备SOI衬底，上层基体材料为（100）晶面，下层基体材料为（110）晶面；生长N型Si外延，在双极器件区域制造SOI Si双极晶体管；在PMOS器件有...
- 张鹤鸣李妤晨胡辉勇吕懿宣荣喜舒斌宋建军郝跃
- 文献传递
- 一种双应变混合晶面SOI BiCMOS集成器件及制备方法
- 本发明公开了一种双应变混合晶面SOI BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：首先制备SOI衬底，在SOI衬底上生长N-Si作为双极器件集电区，光刻基区，在基区区域生长P-SiGe、i-Si、i-Poly-Si，制备深...
- 胡辉勇宋建军张鹤鸣宣荣喜吕懿周春宇舒斌郝跃
- 文献传递
