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杨左娅

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：上海市科学技术委员会资助项目国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇相变存储
  • 5篇相变存储器
  • 5篇存储器
  • 4篇二极管阵列
  • 2篇导体
  • 2篇读写
  • 2篇读写操作
  • 2篇氧化物
  • 2篇湿气
  • 2篇铁电存储器
  • 2篇浅沟道隔离
  • 2篇自掺杂
  • 2篇外延层
  • 2篇写操作
  • 2篇刻蚀
  • 2篇刻蚀工艺
  • 2篇沟道
  • 2篇硅片
  • 2篇烘烤
  • 2篇二极管

机构

  • 7篇中国科学院
  • 1篇中芯国际集成...
  • 1篇科技公司

作者

  • 7篇吴关平
  • 7篇宋志棠
  • 7篇杨左娅
  • 7篇刘波
  • 6篇张超
  • 5篇谢志峰
  • 4篇张挺
  • 4篇万旭东
  • 2篇龚岳峰
  • 2篇刘燕
  • 2篇凌云
  • 2篇李宜瑾
  • 1篇陈小刚
  • 1篇陈一峰
  • 1篇陈后鹏

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种基于电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路
2011年
基于相变存储器的擦操作(SET)特性,设计了一种能够产生电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路,采用130nm标准CMOS工艺将其与128kb的相变存储器实验芯片集成。相比传统的单一电流脉冲擦驱动电路,这种改进后的擦驱动电路能将相变存储单元的电阻均值从15kΩ左右降至7kΩ左右,并且存储阵列的阻值分布一致性也得到提升,最终能将128kb相变存储实验芯片的单元成品率提升至99%以上。
陈一峰宋志棠陈小刚陈后鹏刘波白宁陈邦明吴关平谢志峰杨左娅
关键词：相变存储器非易失性存储器
双浅沟道隔离的外延二极管阵列的制备方法
本发明公开了一种双浅沟道隔离的外延二极管阵列的制备方法，该方法首先在衬底上形成重掺杂的第一导电类型区域和高掺杂的第二导电类型区域，生长外延层，然后通过深沟道刻蚀形成二极管阵列字线间的隔离和垂直于深沟道方向的浅沟道刻蚀形成...
张超宋志棠万旭东刘波吴关平张挺杨左娅谢志峰
相变存储器的选通二极管阵列及其制备方法
一种相变存储器的选通二极管阵列及其制备方法，所述制备方法包括：在P型半导体衬底表面进行离子注入，退火生成重掺杂的N型半导体层；在重掺杂的N型半导体层的表面进行外延生长，形成本征半导体层；进行刻蚀工艺以形成用于隔离字线的第...
李宜瑾宋志棠凌云刘燕刘波龚岳峰张超吴关平杨左娅
文献传递
有效抑制自掺杂效应的外延生长方法
本发明涉及了一种有效抑制自掺杂效应的外延生长方法，其首先清除含有重掺杂埋层区域的半导体衬底和待使用的反应腔室内壁的杂质，然后将半导体衬底载入被清洗过的反应腔室，在真空条件下对其进行预烘烤，以去除所述半导体衬底表面的湿气及...
张超宋志棠万旭东刘波吴关平张挺杨左娅谢志峰
双浅沟道隔离的外延二极管阵列的制备方法
本发明公开了一种双浅沟道隔离的外延二极管阵列的制备方法，该方法首先在衬底上形成重掺杂的第一导电类型区域和高掺杂的第二导电类型区域，生长外延层，然后通过深沟道刻蚀形成二极管阵列字线间的隔离和垂直于深沟道方向的浅沟道刻蚀形成...
张超宋志棠万旭东刘波吴关平张挺杨左娅谢志峰
文献传递
相变存储器的选通二极管阵列及其制备方法
一种相变存储器的选通二极管阵列及其制备方法，所述制备方法包括：在P型半导体衬底表面进行离子注入，退火生成重掺杂的N型半导体层；在重掺杂的N型半导体层的表面进行外延生长，形成本征半导体层；进行刻蚀工艺以形成用于隔离字线的第...
李宜瑾宋志棠凌云刘燕刘波龚岳峰张超吴关平杨左娅
有效抑制自掺杂效应的外延生长方法
本发明涉及了一种有效抑制自掺杂效应的外延生长方法，其首先清除含有重掺杂埋层区域的半导体衬底和待使用的反应腔室内壁的杂质，然后将半导体衬底载入被清洗过的反应腔室，在真空条件下对其进行预烘烤，以去除所述半导体衬底表面的湿气及...
张超宋志棠万旭东刘波吴关平张挺杨左娅谢志峰
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