谢志峰
- 作品数：10 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：上海市科学技术委员会资助项目国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 双浅沟道隔离的外延二极管阵列的制备方法
- 本发明公开了一种双浅沟道隔离的外延二极管阵列的制备方法，该方法首先在衬底上形成重掺杂的第一导电类型区域和高掺杂的第二导电类型区域，生长外延层，然后通过深沟道刻蚀形成二极管阵列字线间的隔离和垂直于深沟道方向的浅沟道刻蚀形成...
- 张超宋志棠万旭东刘波吴关平张挺杨左娅谢志峰
- 一种电阻转换存储器结构及其制造方法
- 本发明揭示了一种电阻转换存储器结构及其制造方法，该电阻转换存储器结构，包括：多个选通单元和多个电阻转换存储单元；其中，每一个选通单元对应两个电阻转换存储单元；所述电阻转换存储单元包括上电极、下电极和夹在所述上、下电极之间...
- 张挺朱南飞宋志棠刘波吴关平张超谢志峰封松林
- 一种基于电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路
- 2011年
- 基于相变存储器的擦操作(SET)特性,设计了一种能够产生电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路,采用130nm标准CMOS工艺将其与128kb的相变存储器实验芯片集成。相比传统的单一电流脉冲擦驱动电路,这种改进后的擦驱动电路能将相变存储单元的电阻均值从15kΩ左右降至7kΩ左右,并且存储阵列的阻值分布一致性也得到提升,最终能将128kb相变存储实验芯片的单元成品率提升至99%以上。
- 陈一峰宋志棠陈小刚陈后鹏刘波白宁陈邦明吴关平谢志峰杨左娅
- 关键词：相变存储器非易失性存储器
- 一种1kb相变存储芯片的设计被引量：1
- 2011年
- 以中科院上海微系统与信息技术研究所自主研发的相变存储器工艺为基础,开发了一款容量为1kb、可应用于射频标签(RFID)的嵌入式相变存储芯片。该芯片以1T1R为基本单元结构,采用箝位读出方式以及电流镜式写驱动电路,成功实现了相变存储器的读写功能。测试结果显示,该芯片可重复擦写次数达到107次,在80℃条件下数据保持力达到10年,圆片(wafer)成品率达到99.9%。
- 丁晟宋志棠陈后鹏蔡道林陈一峰王倩陈小刚刘波谢志峰
- 关键词：存储器相变存储器
- 有效抑制自掺杂效应的外延生长方法
- 本发明涉及了一种有效抑制自掺杂效应的外延生长方法，其首先清除含有重掺杂埋层区域的半导体衬底和待使用的反应腔室内壁的杂质，然后将半导体衬底载入被清洗过的反应腔室，在真空条件下对其进行预烘烤，以去除所述半导体衬底表面的湿气及...
- 张超宋志棠万旭东刘波吴关平张挺杨左娅谢志峰
- 一种纳米复合相变材料及其制备方法
- 本发明是关于一种新型纳米复合相变材料及其制备方法。纳米复合相变材料特征在于相变材料与铁电材料的复合，铁电材料将相变材料分隔成形状和大小可控的、均匀的、纳米尺寸的区域，从而把相变材料的相变限制在小区域内，同时因为铁电材料具...
- 宋三年宋志棠万旭东谢志峰封松林
- 文献传递
- 双浅沟道隔离的外延二极管阵列的制备方法
- 本发明公开了一种双浅沟道隔离的外延二极管阵列的制备方法，该方法首先在衬底上形成重掺杂的第一导电类型区域和高掺杂的第二导电类型区域，生长外延层，然后通过深沟道刻蚀形成二极管阵列字线间的隔离和垂直于深沟道方向的浅沟道刻蚀形成...
- 张超宋志棠万旭东刘波吴关平张挺杨左娅谢志峰
- 文献传递
- 有效抑制自掺杂效应的外延生长方法
- 本发明涉及了一种有效抑制自掺杂效应的外延生长方法，其首先清除含有重掺杂埋层区域的半导体衬底和待使用的反应腔室内壁的杂质，然后将半导体衬底载入被清洗过的反应腔室，在真空条件下对其进行预烘烤，以去除所述半导体衬底表面的湿气及...
- 张超宋志棠万旭东刘波吴关平张挺杨左娅谢志峰
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- 一种纳米复合相变材料及其制备方法
- 本发明是关于一种新型纳米复合相变材料及其制备方法。纳米复合相变材料特征在于相变材料与铁电材料的复合，铁电材料将相变材料分隔成形状和大小可控的、均匀的、纳米尺寸的区域，从而把相变材料的相变限制在小区域内，同时因为铁电材料具...
- 宋三年宋志棠万旭东谢志峰封松林
- 文献传递
- 一种电阻转换存储器结构及其制造方法
- 本发明揭示了一种电阻转换存储器结构及其制造方法，该电阻转换存储器结构，包括：多个选通单元和多个电阻转换存储单元；其中，每一个选通单元对应两个电阻转换存储单元；所述电阻转换存储单元包括上电极、下电极和夹在所述上、下电极之间...
- 张挺朱南飞宋志棠刘波吴关平张超谢志峰封松林
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