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蒋军

作品数：14 被引量：9H指数：2
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划上海市科委纳米专项基金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 4篇金属学及工艺
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 7篇离子束
  • 6篇离子束辅助
  • 6篇离子束辅助沉...
  • 5篇碳纳米管
  • 5篇纳米
  • 5篇纳米管
  • 4篇性能研究
  • 3篇电子发射
  • 3篇图形化
  • 3篇钼栅极
  • 3篇薄膜阴极
  • 3篇场致发射
  • 2篇印刷
  • 2篇有机添加物
  • 2篇直接印刷
  • 2篇图形化显示
  • 2篇铪
  • 2篇场发射
  • 1篇低能
  • 1篇点阵

机构

  • 13篇中国科学院
  • 2篇华东师范大学
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 14篇蒋军
  • 13篇冯涛
  • 10篇王曦
  • 10篇柳襄怀
  • 7篇戴丽娟
  • 6篇任琮欣
  • 6篇江炳尧
  • 5篇张正选
  • 3篇邹世昌
  • 2篇李琼
  • 2篇郑里平
  • 2篇郑志宏
  • 1篇张继华
  • 1篇宋朝瑞
  • 1篇张福民
  • 1篇宋志棠
  • 1篇程新红
  • 1篇张峰

传媒

  • 2篇功能材料
  • 2篇真空电子技术
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇核技术
  • 1篇光电子技术
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 7篇2006
  • 3篇2005
  • 2篇2004
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
HfC涂覆碳纳米管增强场发射性能研究被引量：1
2006年
利用PECVD方法在硅衬底上生长碳纳米管薄膜,然后采用IBAD方法在薄膜上沉积5 nm的Hf,在高温下退火后在表面形成HfC。研究了经过HfC处理前后碳纳米管膜的场发射性能,结果表明经过HfC处理后碳纳米管膜的场发射性能得到明显改善,并对提高碳纳米管场发射性能的机理进行了探讨。此方法为提高碳纳米管场发射性能提供了一种新的思路。
蒋军冯涛张继华戴丽娟程新红宋朝瑞王曦柳襄怀邹世昌
关键词：碳纳米管场发射碳化铪
低能Ar^+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜被引量：3
2004年
　采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3。若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强的(111)择优取向。因此若合理控制Ar+离子束的入射角,可在Mo/Si(100)衬底上制备出具有显著择优取向的Pt(111)薄膜。本文采用MonteCarlo方法模拟低能Ar+离子注入Pt单晶所引起的原子级联碰撞过程,得出Ar+离子入射单晶铂(200)晶面时,Ar+离子的溅射率与入射角的关系,对Pt膜择优取向的机理作了初步的探讨和分析。
江炳尧蒋军冯涛任琮欣张正选宋志棠柳襄怀郑里平
关键词：离子束辅助沉积
微波管中抑制栅电子发射及其冷阴极的探索
栅控脉冲行波管具有增益高、功率大、工作频带宽、体积小、重量轻、可靠性好等一系列优点，现已被广泛应用在卫星通讯、电子对抗、雷达、导弹控制等系统中，同时在现代信息中起着非常重要的作用。由于阴极与栅极之间距离很近，在行波管工作...
蒋军
关键词：离子束辅助沉积碳纳米管场发射微波管
文献传递
CNT-FED点阵显示器件的研制及其驱动电路设计被引量：1
2006年
采用丝网印刷技术和等离子体表面处理方法,制备了16×16点阵式碳纳米管场发射显示器件(Carbon N anotube F ield Em ission D isp lay,CNT-FED)。根据CNT-FED的结构特点,研究了CNT-FED的显示驱动原理,设计了以51单片机为控制核心的驱动电路,实现了点阵式显示器件的动态显示。
戴丽娟冯涛蒋军王曦柳襄怀李琼张峰
关键词：场发射显示器驱动电路丝网印刷
一种实现碳纳米管薄膜阴极图形化场致发射显示的方法
冯涛戴丽娟蒋军王曦张正选
本发明提供一种简单而有效的方法来实现印刷法制备的CNT薄膜阴极的图形化场致发射显示，其特征在于首先将直接印刷整片的碳纳米管薄膜，通过热处理工艺去除印刷过程中的有机添加物得到整片的碳纳米管薄膜阴极，然后通过机械的表面图形转...
关键词：
关键词：阴极图形化场致发射碳纳米管
离子束辅助沉积铪膜耐热应力性能研究
本文采用离子束辅助沉积方法在行波管的钨质栅网上沉积铪膜.在高真空的环境下,模拟行波管的工作条件,对不同设备,不同工艺参数沉积的铪膜进行耐热应力循环试验.应用SEM观察试验样品在高温热处理前后形貌的变化.用AES测量循铪膜...
江炳尧任琮欣冯涛蒋军柳襄怀
关键词：钼栅极电子发射离子束辅助沉积行波管
文献传递
低能Ar离子束辅助沉积Ag(111)薄膜被引量：2
2005年
采用低能Ar离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上制备Ag膜。实验发现,用Ar离子束溅射沉积的Ag膜呈(111)择优取向。若在溅射沉积Ag膜的同时,用能量为500eV的Ar离子束沿衬底法线方向对Ag膜进行辅助轰击,当离子/原子到达比为0.06时,Ag膜呈(111)择优取向;当离子/原子到达比增大到0.18时,Ag膜呈(111)和(100)混合晶向。若Ar离子的入射角为35.26°,离子/原子到达比为0.06时,Ag膜呈(111)择优取向;当离子/原子比增大到0.18时,Ag膜呈(111)和微弱的(100)混合晶向。若Ar离子的入射角为54.7°,离子/原子到达比为0.06时,沉积的Ag膜呈很强的(111)择优取向。
江炳尧蒋军冯涛任琮欣张正选柳襄怀郑里平
关键词：离子束辅助沉积沟道效应
镀铂栅极抑制电子发射性能研究被引量：2
2005年
利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面上沉积Pt膜,采用试验二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba,BaO蒸发到镀铂栅极和纯钼栅极表面上后的电子发射性能。采用XRD,EDX,XPS等测试手段对其栅极表面进行对比分析和表征。实验结果表明:镀铂栅极具有明显的抑制电子发射性能,并初步探讨了离子束辅助沉积Pt膜抑制栅电子发射的机理。
蒋军江炳尧任琮欣张福民冯涛王曦柳襄怀邹世昌
关键词：电子发射离子束辅助沉积钼栅极
提高印刷法制备碳纳米管薄膜场致电子发射性能的方法
本发明提供一种提高印刷法制备的碳纳米管(CNT)薄膜阴极的场致电子发射性能的处理方法，通过二次热处理工艺与表面提拉工艺，除去CNT薄膜中所含的杂质，在CNT与衬底间形成良好的机械接触和电接触，并使表面CNT垂直于衬底表面...
冯涛王曦戴丽娟蒋军柳襄怀
文献传递
离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射性能研究被引量：2
2005年
利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面沉积铪膜,采用模拟二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba、BaO蒸发在镀铪和纯钼栅极表面的电子发射性能。实验结果表明,镀铪栅极抑制电子发射性能较好,并初步探讨了离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射的机理。
蒋军江炳尧郑志宏任琮欣冯涛王曦柳襄怀邹世昌
关键词：铪离子束辅助沉积钼栅极
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