冯高明
- 作品数：19 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 柱状纳米加热电极的制备方法
- 本发明涉及一种柱状纳米加热电极的制备方法，首先在衬底上沉积一层厚度为100nm～300nm的TiN薄膜，利用亚微米CMOS标准工艺曝光技术在TiN薄膜上形成直径为200nm～300nm的光刻胶图形，接着利用反应离子刻蚀技...
- 冯高明宋志棠刘波封松林万旭东吴关平
- 文献传递
- 基于Sn掺杂Ge_2Sb_2Te_5的相变存储器器件单元存储性能
- 2008年
- 采用0.18μm标准工艺制备出基于Sn掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的相变存储器器件单元,利用自行设计搭建的电学测试系统研究了其存储性能。结果表明:Sn的掺杂没有改变Ge2Sb2Te5的相变特性,其相变阈值电压和阈值电流分别为1.6V和25μA;实现了器件单元的非晶态(高阻)与晶态(低阻)之间的可逆相变过程;器件单元中相变材料结晶所需电流最低为1.78mA(电流宽度固定为100ns)、结晶时间大于80ns(电流高度固定为3mA);相变材料非晶化脉冲电流宽度为30ns时,所需电流大于3.3mA;与Ge2Sb2Te5相比,Sn的掺杂降低了SET操作的脉冲电流宽度,提高了结晶速度,有利于提高相变存储器的存储速度。
- 徐成刘波冯高明吴良才宋志棠封松林Bomy Chen
- 关键词：相变存储器
- 低压低功耗、高密度相变存储器单元阵列的制备方法
- 本发明提供的低压低功耗、高密度相变存储器单元阵列的制备方法，其首先利用CVD技术在衬底上依次沉积第一介质材料层、相变材料层、第二介质材料层，然后利用90nm以下CMOS工艺标准曝光技术或电子束曝光技术在已形成的结构上制备...
- 宋志棠冯高明钟旻刘波封松林
- 文献传递
- 相变存储器加热电极的制备方法
- 本发明涉及一种相变存储器加热电极的制备方法，首先利用CVD技术在衬底上依次沉积SiO<Sub>2</Sub>/Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>/SiO<Sub>2</Sub>介质层，接着使用亚微米C...
- 冯高明宋志棠刘波封松林万旭东吴关平
- 文献传递
- 柱状相变材料纳米阵列及其制备方法
- 本发明涉及一种柱状相变材料纳米阵列及其制备方法，可在亚微米CMOS标准工艺曝光技术基础上，通过利用反应离子刻蚀技术刻蚀修整光刻胶的方法，制备出柱状结构直径为50nm左右的柱状相变材料纳米阵列。本发明不仅避免了直接使用10...
- 冯高明宋志棠刘波封松林万旭东吴关平
- 文献传递
- 一种相变存储器光刻工艺优化方法
- 本发明涉及一种相变存储器光刻工艺优化方法，包括：步骤(1)：当每片所述晶圆表面不平整度α相同时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第一光刻工艺窗口；步骤(2)：当特定图形的周期和线宽不一致时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第...
- 张家睿周智全钟旻冯高明宋志棠
- 一种低功耗相变存储器的制备方法
- 本发明涉及一种低功耗相变存储器的制备方法。该制备方法包括：(1)在衬底上生长第一介质层，并形成圆柱状底电极；(2)在第一介质层上形成第二介质层，光刻和刻蚀形成纵向的沟槽1，(3)在沟槽1内形成“倒几字”型相变材料层，回刻...
- 方文成蔡道林李程兴宋志棠冯高明
- 相变存储结构及制作方法
- 本发明提供一种相变存储结构及制作方法，包括如下步骤：于一衬底上形成一相变合金材料层；并在其上表面形成上电极作为刻蚀阻挡层；图形化所述刻蚀阻挡层及相变材料层；在表面涂布光阻并采用回刻蚀的技术将刻蚀至与上电极表面高度平齐；在...
- 李俊焘刘波宋志棠冯高明朱南飞任佳栋徐佳
- 文献传递
- 减小相变存储器加热电极面积的方法
- 本发明涉及一种减小相变存储器加热电极的方法，首先通过微纳加工技术或亚微米CMOS标准工艺，在SiO2衬底上制备出较大直径的200－500nm的孔洞，接着利用CVD或PVD技术在该孔洞中填充W、TiN等加热材料，然后进行化...
- 吴良才宋志棠刘波冯高明封松林
- 文献传递
- 用于相变存储器的W亚微米管加热电极性能
- 2007年
- 为了降低C-RAM器件的操作电流,利用0.18μm标准CMOS工艺线制备出外径为260nm的W亚微米管加热电极,并对其进行了电学性能的表征.使用W亚微米管加热电极制备出C-RAM器件,并通过疲劳特性测试分析了器件失效的原因.结果表明,W亚微米管具有良好的电学稳定性和疲劳特性,为降低C-RAM器件的操作电流提供了一种非常有效的途径.
- 冯高明刘波吴良才宋志棠封松林陈宝明
- 关键词：相变存储器电学性能
