周春宇
- 作品数：76 被引量：6H指数：2
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金陕西省自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 一种应变SiGe垂直CMOS集成器件及制备方法
- 本发明公开了一种应变SiGe垂直CMOS集成器件及制备方法，在600～780℃，在衬底NMOS和PMOS有源区上分别连续生长N型Si外延层、N型应变SiGe层、P型应变SiGe层、N型应变SiGe层、N型Si层和N型Si...
- 宋建军胡辉勇王斌张鹤鸣宣荣喜舒斌周春宇郝跃
- 多晶Si<Sub>1-x</Sub>Ge<Sub>x</Sub>/金属并列覆盖双栅SSGOI nMOSFET器件结构
- 本发明公开了一种多晶Si<Sub>1-x</Sub>Ge<Sub>x</Sub>/金属并列覆盖双栅台阶式埋氧SSGOI nMOSFET器件结构，其技术方案在于该器件自上而下的结构为：多晶Si<Sub>1-x</Sub>G...
- 宋建军王冠宇张鹤鸣胡辉勇宣荣喜周春宇
- 文献传递
- 一种基于自对准工艺的混合晶面双多晶应变BiCMOS集成器件及制备方法
- 本发明公开了一种基于自对准工艺的混合晶面双多晶应变BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：在SOI衬底上生长N型Si外延层作为双极器件集电区，制备深槽隔离，然后依次制备基极多晶、基区、发射区，形成SiGe HBT器件；...
- 胡辉勇张鹤鸣周春宇宋建军李妤晨宣荣喜舒斌郝跃
- 文献传递
- 一种三多晶混合晶面应变BiCMOS集成器件及制备方法
- 本发明公开了一种三多晶混合晶面应变BiCMOS集成器件及制备方法，包括：在制备双晶面的SOI衬底与深槽隔离之后，在双极器件区域刻蚀深槽，在双极器件有源区连续生长制备SiGe HBT器件的集电区、基区和发射区，并形成多晶S...
- 张鹤鸣宋建军李妤晨胡辉勇周春宇宣荣喜戴显英郝跃
- 文献传递
- 一种混合晶面双多晶BiCMOS集成器件及制备方法
- 本发明公开了一种混合晶面双多晶BiCMOS集成器件及制备方法，包括：在制备双晶面的SOI衬底与深槽隔离之后，在双极器件区域刻蚀深槽，在该槽中连续生长制备器件的集电区、基区和发射区，多晶硅基极和发射极，形成SiGe HBT...
- 张鹤鸣吕懿周春宇宣荣喜胡辉勇舒斌宋建军郝跃
- 文献传递
- 应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型被引量：2
- 2013年
- 本文采用渐变沟道近似和准二维分析的方法,通过求解泊松方程,建立了应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型.模型同时研究了短沟道,窄沟道,非均匀掺杂,漏致势垒降低等物理效应对阈值电压的影响.采用参数提取软件提取了阈值电压相关参数,通过将模型的计算结果和实验结果进行对比分析,验证了本文提出的模型的正确性.该模型为应变Si超大规模集成电路的分析和设计提供了重要的参考.
- 周春宇张鹤鸣胡辉勇庄奕琪舒斌王斌王冠宇
- 关键词：应变SINMOSFET阈值电压
- 一种SiGe HBT双应变平面BiCMOS集成器件及制备方法
- 本发明公开了一种SiGe HBT双应变平面BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：在衬底片上制备埋层，生长N-Si作为双极器件集电区，光刻基区，在基区区域生长P-SiGe、i-Si、i-Poly-Si，制备深槽隔离，形...
- 胡辉勇宋建军宣荣喜吕懿张鹤鸣周春宇舒斌郝跃
- 文献传递
- 一种SiGe基垂直沟道应变BiCMOS集成器件及制备方法
- 本发明公开了一种SiGe基垂直沟道应变BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：在Si衬底片上的双极器件区域制造SiGe？HBT器件；光刻NMOS器件有源区，在该区域外延生长五层材料形成NMOS器件有源区，制备NMOS器...
- 宋建军张鹤鸣王海栋周春宇胡辉勇宣荣喜戴显英郝跃
- 文献传递
- 一种应变SiGe BiCMOS集成器件及制备方法
- 本发明公开了一种应变SiGe BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：在SOI衬底片上制备埋层，生长N型Si外延，制备深槽隔离，在双极器件区域制造常规的Si双极晶体管；在600～800℃，在衬底上生长应变SiGe材料，...
- 张鹤鸣周春宇宋建军胡辉勇宣荣喜舒斌王斌郝跃
- 文献传递
- 单轴应变硅N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管电容特性模型
- 2015年
- 电容特性模型是单轴应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Si MOSFET)和电路进行瞬态分析、交流小信号分析、噪声分析等的重要基础.本文首先建立了单轴应变Si NMOSFET的16个微分电容模型,并将微分电容的仿真结果与实验结果进行了比较,验证了所建模型的正确性.同时对其中的关键性栅电容C_(gg)与应力强度、偏置电压、沟道长度、栅极掺杂浓度等的关系进行了分析研究.结果表明,与体硅器件相比,应变的引入使得单轴应变Si NMOSFET器件的栅电容增大,随偏置电压、沟道长度、栅极掺杂浓度的变化趋势保持不变.
- 吕懿张鹤鸣胡辉勇杨晋勇殷树娟周春宇
- 关键词：栅电容
