姜永辉
- 作品数：9 被引量：27H指数：3
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- 基于溶胶凝胶法的二氧化锡复合薄膜的制备及表征被引量：5
- 2012年
- 以金属无机盐SnCl2.2H2O、CuCl2.2H2O和无水乙醇为原料,用溶胶凝胶法制备了SnO2和CuO掺杂的CuO-SnO2薄膜,并用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜和电化学工作站对样品进行了表征。结果表明:随着退火温度的增加,薄膜结晶性变好,晶粒长大,电学特性增强,最佳退火温度确定为450℃。掺杂CuO的SnO2薄膜导电性好于同等条件下未掺杂的SnO2薄膜。SnO2呈四方相金红石结构,衍射峰显示薄膜中存在部分SnO。聚乙二醇的添加增强了SnO2的衍射峰,当超过一定添加量后将抑制晶粒的生长,并使得CuO-SnO2薄膜的导电性呈先减小后增大的趋势。丙三醇的添加可极大改善薄膜的表面形貌,增强了SnO2的衍射峰,且导电性明显变好。
- 李建昌王博锋单麟婷姜永辉韩小波巴德纯
- 关键词：电学特性
- 退火温度对Li掺杂ZnO薄膜光电特性的影响被引量：2
- 2012年
- 采用溶胶凝胶法旋涂制备了摩尔分数为3%的Li掺杂ZnO薄膜,在450~650℃下退火后测试其微结构、表面形貌和光电特性.结果表明薄膜为六方纤锌矿多晶结构且n型导电,退火温度的升高改善了结晶度、表面形貌、透过率和导电性.退火温度超过550℃后电阻率增大,样品由肖特基导电转变为欧姆导电;伏安特性模拟结果表明,替位Li逐渐增多、薄膜功函数增大,有利于制备p型薄膜.退火温度达600℃后,由于薄膜再蒸发等使光电特性变差.550℃是最佳退火温度,适于制备高质量的透明导电薄膜,此时薄膜透过率达95%,薄膜电阻率为2.49×103Ω.cm.
- 李建昌李永宽姜永辉巴德纯
- 关键词：溶胶凝胶法ZNO薄膜退火温度光电特性
- 溶胶—凝胶法制备铜、锂、银掺杂氧化锌薄膜及表征
- ZnO是一种具有光电、气敏、压电等特性优良的多功能材料,它在室温下具有较高的禁带宽度和激子束缚能,在可见光范围内具有很好的透光性,在透明电极、发光器件、太阳能电池、气敏传感器等方面具有潜在的应用价值。多年来一直受到物理、...
- 姜永辉
- 关键词：ZNO薄膜共掺杂光电特性
- 文献传递
- 溶胶凝胶法制备Cu掺杂ZnO纳米薄膜及其表征被引量：10
- 2012年
- 采用溶胶-凝胶法制备了不同Cu掺杂浓度的ZnO薄膜,并通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见分光光度计和伏安特性测试等研究了Cu掺杂量对薄膜微观结构、表面形貌及光电特性的影响。结果表明:所得Cu掺杂ZnO薄膜为六角纤锌矿多晶结构,有CuO杂质相生成。随Cu掺杂量的增加,薄膜晶粒长大,且样品粒度均匀,平均粒径约53 nm。Cu掺杂ZnO薄膜具有良好的透光性,在可见光范围内的平均透射率超过80%,最大可达90%以上。Cu掺杂浓度为0.001%时,所得ZnO薄膜的导电性明显优于其他掺杂条件下的样品。
- 李建昌王博锋姜永辉巴德纯
- 银掺杂氧化锌薄膜的溶胶-凝胶法制备及表征被引量：3
- 2011年
- 采用溶胶-凝胶法,通过改变硝酸银与醋酸锌的物质的量比分别在Si,ITO和玻璃基片上制备出不同Ag掺杂浓度的ZnO薄膜.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见光分光光度计、伏安特性曲线等测试手段,表征了薄膜的结晶状况、表面形貌及光电特性等.结果表明:随Ag元素的引入及掺杂浓度的升高,ZnO薄膜中有Ag单质生成,并在波长404 nm处出现了由Ag单质颗粒引起的共振吸收峰,同时ZnO薄膜的导电性得到了明显改善,在可见光范围内薄膜透光率均在85%以上.Ag掺杂原子数分数为7%时,薄膜导电性最好,其在可见光范围内透光率高达90%.
- 李建昌姜永辉单麟婷巴德纯
- 关键词：溶胶-凝胶法氧化锌薄膜AG掺杂光电特性表面形貌
- Li-Cu共掺杂ZnO纳米薄膜的溶胶凝胶法制备被引量：1
- 2012年
- 采用溶胶-凝胶法,通过调整氯化锂和氯化铜的摩尔比在不同基片上制备了不同Li-Cu共掺杂浓度的ZnO薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、紫外可见光分光光度计和伏安特性测试等表征了薄膜的结晶状况、表面形貌及光电特性。结果表明:所得Li-Cu共掺杂ZnO薄膜为六角纤锌矿多晶结构,有CuO杂质相生成。随Li和Cu摩尔比增加,共掺杂ZnO薄膜结晶度增强,晶粒长大,样品表面不平整度增加。CuO颗粒的出现,使得共掺杂ZnO薄膜透射率降低,透光性较差。Li与Cu摩尔比为1:1时,共掺杂ZnO薄膜的综合导电性最好。
- 李建昌姜永辉王博锋巴德纯
- 关键词：溶胶-凝胶法ZNO光电特性
- 退火温度对Cu掺杂ZnO和SnO_2薄膜性能影响
- 采用溶胶-凝胶法制备了Cu掺杂SnO2、ZnO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见分光光度计和伏安特性测试等研究了退火温度对Cu掺杂薄膜微观结构、表面形貌及光电特性的影响。结果表明:随着退火...
- 单麟婷李建昌巴德纯姜永辉
- 关键词：SNO2薄膜ZNO薄膜CU掺杂光电特性
- 文献传递
- 退火温度对Cu掺杂ZnO和SnO2薄膜性能影响
- 采用溶胶-凝胶法制备了Cu掺杂SnO2、ZnO薄膜，通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见分光光度计和伏安特性测试等研究了退火温度对Cu掺杂薄膜微观结构、表面形貌及光电特性的影响。
- 单麟婷李建昌巴德纯姜永辉
- 关键词：溶胶-凝胶法SNO2ZNO薄膜CU掺杂光电特性
- 金属氧化物半导体薄膜气敏机理研究进展被引量：6
- 2011年
- 气体传感器的核心介质为气敏薄膜,而薄膜本身的特性有关键的影响,主要体现在薄膜微观结构如晶粒尺寸、膜厚、空隙率和有效表面积等方面。溶胶-凝胶法由于有方法简单及成膜温度低等优点,得到了广泛研究与应用。本文综述了溶胶-凝胶法制备的金属氧化物薄膜微纳结构与气敏机理进来的研究进展,结果表明最佳的晶粒尺寸约为10nm,最佳膜厚约为110 nm。在晶粒尺寸控制方面,通过控制煅烧温度与时间及在溶胶-凝胶过程中加入不同的添加剂,可有效优化晶粒尺寸提高灵敏度。最后,从能带结构角度总结了气敏传感器的电学特性及荷电传输机理,讨论了热电子发射理论和电子隧穿理论起主导作用时的薄膜微纳结构。
- 李建昌韩小波姜永辉巴德纯
- 关键词：金属氧化物薄膜半导体薄膜气体传感器溶胶-凝胶法
