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碲锌镉单晶片的退火方法被引量：2: 2008年; 探索了一种Cd1-xZnxTe(CZT)探测器晶片退火的新装置和新方法,该装置可以方便有效的对CZT单晶片进行同组分源退火研究。利用XRD、红外透射谱和晶体电阻率表征了采用该装置在富Cd的同组分CZT粉末源包裹下,选择适宜的退火温度和时间进行退火后的CZT单晶片,晶片的电阻率有一定的提高,红外透过率有一定改善。XRD分析表明,经过退火后,CZT单晶片中的Cd组分含量有一定增加。采用该方法退火后,晶体品质有一定提高。; 高德友赵北君朱世富唐世红何知宇张冬敏方军程曦; 关键词：退火电阻率 XRD 红外透射谱

CdS_xTe_(1-x)多晶薄膜的制备与性质研究被引量：19: 2005年; 采用真空共蒸发方法制备了CdSxTe1 -x 多晶薄膜 ,并用原子力显微镜、x射线衍射和光学透过率谱等研究了CdSxTe1 -x多晶薄膜的结构和性质 .结果表明 :薄膜均匀、致密、无微孔 ,当x≥ 0 5时为n型半导体 ,x <0 5时为p型半导体 .CdSxTe1 -x多晶薄膜的光学能隙随x变化 .结合薄膜的晶格常数和光学能隙得到了薄膜发生相变的组分 ,当x<0 2 5时CdSxTe1 -x 多晶薄膜为立方相 ,当x >0 2 5时为六方结构 .退火后结构没有改变 ,能隙减小 .提出了用CdSxTe1 -x多晶薄膜作为缓冲层的新型结构太阳电池 .; 李卫冯良桓武莉莉蔡亚平张静全郑家贵蔡伟黎兵雷智张冬敏; 关键词：多晶薄膜太阳电池晶格常数

Cd_(0.80)Zn_(0.20)Te晶体的生长及性能研究: 2007年; 用本实验室合成的Ca0．80Zn0．20Te多晶料为原料，采用改进的布里奇曼法在镀碳和未镀碳的石英安瓿中生长出Ca0．80Zn0．20Te晶锭。使用X射线衍射仪对合成产物及晶锭进行了分析，生长晶体的X射线衍射峰尖锐，摇摆谱对称，表明晶锭的结晶性能较好；用IRPrestige-21红外光谱仪分析了晶体的红外透射光谱，测试结果表明安瓿镀碳后生长的晶体位错密度小，均匀性较好，电阻率优于未镀碳安瓿生长的晶体；晶体的蚀坑密度在10^3-10^4cm^-2之间，比未镀碳安瓿生长的晶体低1个数量级。; 方军赵北君朱世富何知宇高德友张冬敏程曦王智贤; 关键词：碲锌镉晶体生长 XRD 红外光谱

碲锌镉核辐射探测器的电极研究: 碲锌镉(CdZnTe)晶体是制作室温Y射线及X射线探测器的优良材料，晶体平均原子序数高，对射线的阻止本领强;禁带宽度大，电阻率高，漏电流较小：载流子的迁移率——寿命积较大，电荷收集效率高;化学稳定性好，机械加工性能好。在...; 张冬敏; 关键词：辐射探测器碲锌镉晶体; 文献传递

碲锌镉单晶体的正电子寿命研究被引量：2: 2006年; 用正电子湮没技术(PAT)研究了原料富Cd改进布里奇曼法生长的碲锌镉单晶样品退火前后的缺陷。刚生长的样品缺陷寿命值较高,其内部存在的点缺陷主要是占优势的Cd空位,用富Cd同成份源Cd1-xZnxTe气氛对样品在不同温度下等时退火后,发现样品的正电子寿命参数对退火温度表现出很强的依赖关系,通过对样品退火过程中空位的迁移、聚集及消失情况分析,得出较适宜的退火温度约为700℃。; 唐世红赵北君朱世富王瑞林高德友陈俊张冬敏何知宇方军洪果; 关键词：碲锌镉正电子湮没技术退火

碲锌镉探测器晶片退火新工艺: 本文报道了一种CZT探测器晶片退火的新装置和新工艺，该装置可以方便有效的对CZT单晶片进行同成分源退火研究。实验采用自行设计制作的装置在富Cd的同成分CZT粉末源包裹、在400℃下退火120h。晶片的电阻率、红外透过率等...; 高德友赵北君朱世富唐世红何知宇陈俊张建军张冬敏方军; 关键词：电阻率红外透射谱探测器; 文献传递

CdZnTe探测器晶片的表面处理工艺被引量：5: 2006年; 报道了CdZnTe探测器晶片表面钝化工艺对其性能的影响。先采用金相砂纸和化学腐蚀剂对CdZnTe晶片进行机械和化学抛光，然后分别用H2O2溶液和NH4F／H2O2溶液对晶片进行湿法钝化；再用ZC36微电流测试仪和扫描电镜测试研究了不同钝化时间对CdZnTe晶片电学性质和表面形态的影响。结果发现：用NH4F／H2O2溶液对CdZnTe探测器晶片进行钝化30min，晶片表面形成一层完整的高阻氧化层，表面漏电流最小、晶体电阻率提高1-2个数量级，达到10^9-10 Ω·cm，适合探测器的制备。; 张冬敏朱世富赵北君高德友陈俊唐世红方军程曦; 关键词：表面处理漏电流电阻率形貌

CdS_yTe_(1-y)多晶薄膜的制备及光谱表征: 2008年; 采用真空共蒸发法制备了CdSyTe1-y(0≤y≤1)多晶薄膜,并用X射线衍射谱(XRD)、能量色散谱(EDS)研究了CdSyTe1-y多晶薄膜的结构、组分。实验结果表明:石英振荡法监控的组分与EDS谱结果较为一致;当y<0·3时,CdSyTe1-y多晶薄膜为立方结构,当y≥0·3时,CdSyTe1-y多晶薄膜为六方结构。采用XRD线形分析法可计算出CdSyTe1-y多晶薄膜晶粒大小约20～50nm。最后,用紫外-可见-近红外谱(UV-Vis-NIR),测得300～2500nmCdSyTe1-y多晶薄膜的透过率曲线,并结合一阶Sellmeier模型的折射率色散关系,表征了CdSyTe1-y多晶薄膜的光学性质,获得了CdS0·22Te0·78多晶薄膜的光学厚度d～535nm,光能隙Eg～1·41eV,以及吸收系数α(λ)、折射率n(λ)等光学量。结果也表明,采用真空共蒸发法可以制备需要组分的CdSyTe1-y多晶薄膜,对CdSyTe1-y多晶薄膜光学性质的表征方法可推广到其他的半导体薄膜材料。; 李卫冯良桓武莉莉张静全黎兵雷智蔡亚平郑家贵蔡伟张冬敏; 关键词：光谱表征

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张冬敏