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朱南飞

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 3篇存储器
  • 2篇电极
  • 2篇电极表面
  • 2篇电阻
  • 2篇涂布
  • 2篇相变
  • 2篇接触面积
  • 2篇刻蚀
  • 2篇夹缝
  • 2篇光阻
  • 2篇表面涂布
  • 2篇长宽比
  • 2篇存储器结构
  • 1篇电介质
  • 1篇热损失
  • 1篇介质
  • 1篇刻蚀技术
  • 1篇存储器件

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇宋志棠
  • 4篇朱南飞
  • 4篇刘波
  • 2篇徐佳
  • 2篇吴关平
  • 2篇张挺
  • 2篇张超
  • 2篇冯高明
  • 2篇封松林
  • 2篇任佳栋
  • 2篇谢志峰

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2011
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种电阻转换存储器结构及其制造方法
本发明揭示了一种电阻转换存储器结构及其制造方法，该电阻转换存储器结构，包括：多个选通单元和多个电阻转换存储单元；其中，每一个选通单元对应两个电阻转换存储单元；所述电阻转换存储单元包括上电极、下电极和夹在所述上、下电极之间...
张挺朱南飞宋志棠刘波吴关平张超谢志峰封松林
相变存储结构及制作方法
本发明提供一种相变存储结构及制作方法，包括如下步骤：于一衬底上形成一相变合金材料层；并在其上表面形成上电极作为刻蚀阻挡层；图形化所述刻蚀阻挡层及相变材料层；在表面涂布光阻并采用回刻蚀的技术将刻蚀至与上电极表面高度平齐；在...
李俊焘刘波宋志棠冯高明朱南飞任佳栋徐佳
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一种电阻转换存储器结构及其制造方法
本发明揭示了一种电阻转换存储器结构及其制造方法，该电阻转换存储器结构，包括：多个选通单元和多个电阻转换存储单元；其中，每一个选通单元对应两个电阻转换存储单元；所述电阻转换存储单元包括上电极、下电极和夹在所述上、下电极之间...
张挺朱南飞宋志棠刘波吴关平张超谢志峰封松林
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相变存储结构及制作方法
本发明提供一种相变存储结构及制作方法，包括如下步骤：于一衬底上形成一相变合金材料层；并在其上表面形成上电极作为刻蚀阻挡层；图形化所述刻蚀阻挡层及相变材料层；在表面涂布光阻并采用回刻蚀的技术将刻蚀至与上电极表面高度平齐；在...
李俊焘刘波宋志棠冯高明朱南飞任佳栋徐佳
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