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朱南飞
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4
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供职机构:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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合作作者
刘波
中国科学院上海微系统与信息技术...
宋志棠
中国科学院上海微系统与信息技术...
谢志峰
中国科学院上海微系统与信息技术...
任佳栋
中国科学院上海微系统与信息技术...
封松林
中国科学院上海微系统与信息技术...
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宋志棠
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朱南飞
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刘波
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徐佳
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吴关平
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张挺
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任佳栋
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谢志峰
年份
1篇
2015
1篇
2014
1篇
2013
1篇
2011
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一种电阻转换存储器结构及其制造方法
本发明揭示了一种电阻转换存储器结构及其制造方法,该电阻转换存储器结构,包括:多个选通单元和多个电阻转换存储单元;其中,每一个选通单元对应两个电阻转换存储单元;所述电阻转换存储单元包括上电极、下电极和夹在所述上、下电极之间...
张挺
朱南飞
宋志棠
刘波
吴关平
张超
谢志峰
封松林
相变存储结构及制作方法
本发明提供一种相变存储结构及制作方法,包括如下步骤:于一衬底上形成一相变合金材料层;并在其上表面形成上电极作为刻蚀阻挡层;图形化所述刻蚀阻挡层及相变材料层;在表面涂布光阻并采用回刻蚀的技术将刻蚀至与上电极表面高度平齐;在...
李俊焘
刘波
宋志棠
冯高明
朱南飞
任佳栋
徐佳
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一种电阻转换存储器结构及其制造方法
本发明揭示了一种电阻转换存储器结构及其制造方法,该电阻转换存储器结构,包括:多个选通单元和多个电阻转换存储单元;其中,每一个选通单元对应两个电阻转换存储单元;所述电阻转换存储单元包括上电极、下电极和夹在所述上、下电极之间...
张挺
朱南飞
宋志棠
刘波
吴关平
张超
谢志峰
封松林
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相变存储结构及制作方法
本发明提供一种相变存储结构及制作方法,包括如下步骤:于一衬底上形成一相变合金材料层;并在其上表面形成上电极作为刻蚀阻挡层;图形化所述刻蚀阻挡层及相变材料层;在表面涂布光阻并采用回刻蚀的技术将刻蚀至与上电极表面高度平齐;在...
李俊焘
刘波
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