茅东升
- 作品数：12 被引量：49H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
- SiC陶瓷的冲蚀磨损耐磨性被引量：4
- 1998年
- 研究了无压（PL）；热压（HP），热等静压（HIP）同烧结SiC陶瓷的室温冲蚀磨损行为热等静压SiC陶瓷具有良好的综合力学性能和细致的组织结构。
- 茅东升郭绍义郦剑毛志远柳襄怀
- 关键词：冲蚀磨损耐磨性碳化硅陶瓷
- 提高FEA电子发射可靠性和均匀性的几种结构
- 2002年
- 首先介绍了稳定FEA电子发射均匀性和可靠性的几种结构 ,然后提出了以离子注入和干法刻蚀技术 ,在常规电阻率P型衬底上制成具有串联电阻负反馈特性的单片硅FEA。这些设计和工艺可供研究人员在设计具体FEA电子源的不同应用领域 ,如平版显示器、微波真空器件。
- 范忠李琼徐静芳郭方敏茅东升
- 关键词：电子发射可靠性均匀性
- 界面过渡层对非晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响被引量：4
- 1999年
- 在Au/Si和Ti/Si和Si 3种不同的衬底材料上 ,通过真空磁过滤弧源沉积技术制备了无氢高sp3 键含量非晶金刚石薄膜 (amorphousdiamond ,AD) .使用阳极覆盖有低压荧光粉的二极管型结构 ,对其电子场发射性能和荧光显示进行了研究 .测试表明 ,衬底过渡层对非晶金刚石薄膜的场发射行为产生重大的影响 .通过二次离子质谱 (SIMS)测试分析了AD/Ti/Si和AD/Si中界面的成分分布 .由于Ti和C之间的互扩散和反应 ,存在一定的浓度梯度 ,形成了衬底和AD薄膜之间良好的接触 ,有效降低了界面的接触势垒高度 ,使电子容易从衬底进入到AD薄膜中去 ,从而显著改善了AD薄膜的电子场发射性能 .在电场强度E =1 9 7V/ μm时 ,获得的电子场发射电流密度为 0 35 2mA/cm2 ,大大高于同场强下AD/Au/Si和Au/Si的数值 .
- 茅东升赵俊李炜王曦柳襄怀诸玉坤范忠周江云李琼徐静芳
- 关键词：非晶金刚石薄膜
- 单片Si-FED的结构和设计被引量：1
- 2001年
- 根据场发射显示器（ＦＥＤ）的工作原理和所要求的电学参数，利用常规的硅半导体工艺和微机械加工技术，设计和试制了显示面积为１０．８ｍｍ×１０．８ｍｍ的研究性器件。版图设计中采用了离子注入法形成导电网络结构和横向负反馈电阻。工艺流程采用了全干法两步刻蚀和热氧化增尖形成理想硅微尖锥的方案。硅场发射冷阴极阵列（Ｓｉ－ＦＥＣＡ）是ＦＥＤ的核心。
- 范忠李琼徐静芳茅东升
- 关键词：场发射显示器干法刻蚀离子注入硅
- 高sp^3键含量无氢非晶金刚石薄膜——出色的电子场发射材料被引量：2
- 1999年
- 采用真空磁过滤弧沉积的方法 ,制备了高sp3 键含量 ( >90 % )的无氢非晶金刚石薄膜 .研究表明 ,金刚石薄膜具有优异的电子场发射性能 .在电场强度为5V/μm时 ,可产生 5 .4μA的发射电流 .在一定的电场下 ,电流密度可达到几个mA/cm2 .在发射电流为 5 0 μA的情况下 ,薄膜连续工作数天 ,电流的偏差不超过5 % ,表现出电子发射的稳定性 .同时还观察到了大面积的电子发射现象 .由于薄膜微观表面非常平整 ,所以不存在场增强几何因子的作用 ,利用F N理论可计算得到其表面功函数不大于 0 .0 5eV .由于其非晶组织的均匀性 ,使其表面各个部位具有较为一致的功函数 ,因而造成薄膜均匀、稳定的电子发射 .
- 茅东升赵俊李炜王曦柳襄怀诸玉坤李琼徐静芳
- 关键词：金刚石薄膜显示器CVD
- 无氢非晶金刚石薄膜的制备及其电子场发射性能研究
- 该项目研究包括非晶金刚石薄膜的制、掺杂、表征、电子场发射性能及其影响因素研究;非晶金刚石薄膜阵列的刻蚀和图形化;场发射冷阴极的制作和封装.
- 茅东升
- 关键词：金刚石薄膜
- 文献传递
- 离子束溅射制备ZnO:Zn荧光薄膜被引量：9
- 2001年
- 用离子束溅射法制备了用于场发射显示器（ＦＥＤ）的ＺｎＯ：Ｚｎ荧光薄膜采用ＲＢＳ、ＸＲＤ、 ＡＦＭ、 Ｈａｌｌ和 ＰＬ谱等手段表征了热处理前后的薄膜 ＲＢＳ结果表明薄膜中存在一定数量的过量 Ｚｎ．沉积态的薄膜中同时含有非晶相和晶相，其表面形貌表现出多种结构 Ｈａｌｌ检测发现，升高热处理温度能降低薄膜中的自由载流子浓度，说明过量Ｚｎ含量的下降；当热处理温度超过４００℃时，Ｈａｌｌ迁移率迅速上升，表明薄膜结晶性能的改善在 ＺｎＯ：Ｚｎ薄膜的 ＰＬ谱中检测到紫外／紫光、蓝／绿光两组荧光峰，一价氧空位（Ｖｏ）充当了蓝／绿光的发光中心薄膜的光致发光强度受热处理温度的影响很大，可能的原因包括薄膜结构缺陷的修复、成分均匀化和过量 Ｚｎ的蒸发。
- 李炜茅东升张福民王曦柳襄怀邹世昌诸玉坤李琼徐静芳
- 关键词：荧光薄膜光致发光场发射显示器离子束溅射
- 非晶金刚石膜的电子场发射性能研究被引量：1
- 1998年
- 研究了用真空磁过滤弧沉积（ＦＡＤ）方法制备的非晶金刚石薄膜（ａＤＦ）的电子场发射性能，其最小阈值电压为２．１Ｖ。ｓｐ３键含量不同的ａＤＦ发射性能也不同，适当的ｓｐ２键含量能降低阈值电压，提高ｓｐ３键含量能提高发射稳定性。根据实验结果提出了一种发射机制。
- 周江云茅东升
- 关键词：非晶金刚石薄膜FAD
- 类金刚石薄膜作为阴极阵列的场发射显示器研制被引量：11
- 2002年
- 采用真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的类金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能。通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能。测试表明,DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能,阈值电场达到了2.1V/μm,当场强为14.3V/μm时,电流密度达到了1.23mA/cm2。利用图形化的DLC薄膜作为阴极,设计和制作了矩阵选址单色场发射显示器(FED)样管。
- 冯涛茅东升李炜柳襄怀王曦张福民李琼徐静芳诸玉坤
- 关键词：类金刚石薄膜场发射显示器
- 以金属钛为界面层的非晶金刚石薄膜多层材料、制备方法及其用途
- 本发明涉及一种以金属钛为界面层的非晶金刚石薄膜材料，是指在基体材料与非晶金刚石薄膜之间沉积一层金属钛而制备的多层材料。该材料或经热处理后，能使金属钛与非晶金刚石薄膜之间形成一层碳化钛过渡层，造成金属钛与非晶金刚石薄膜之间...
- 柳襄怀王曦茅东升郑志宏杨石奇李炜李琼徐静芳
- 文献传递
