陈阳华
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家重点基础研究发展计划全球变化研究国家重大科学研究计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构的理论设计和实验研究被引量：1
- 2012年
- 基于能带工程理论,设计了Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构。采用超高真空化学气相淀积系统,制备出高质量的Si基Ge/SiGe多量子阱系列材料。当样品中Ge量子阱宽从15nm减少到12nm和11nm时,室温下荧光(PL)光谱观测到量子限制效应引起的直接带跃迁发光峰位的蓝移,峰位的实验值与理论值符合得很好;当Ge量子阱宽逐渐减小到9nm和7nm时,测试得到样品的PL谱峰位却与理论预期出现了较大的差值。进一步的实验表明,这主要是由于量子阱厚度小到一定程度时,量子阱的直接带发光受到抑制,其发光主要源于Ge虚拟衬底。
- 陈城钊陈阳华黄诗浩李成赖虹凯陈松岩
- 采用低温缓冲层技术在Si衬底上外延生长Ge薄膜
- 2017年
- 利用超高真空化学气相淀积系统,在Si(100)衬底上外延采用低温缓冲层技术外延生长Ge薄膜。实验测试得到外延Ge的X射线双晶衍射曲线半高宽为537arc sec,应变为0.2%。在室温下观测到外延Ge的直接带跃迁光致发光,发光峰位为1560 nm,表明生长的Si基Ge材料具有良好的质量。
- 陈荔群陈阳华
- Si基外延Ge薄膜及退火对其特性的影响研究被引量：2
- 2011年
- 采用超高真空化学气相沉积(UHV-CVD)系统,用低温Ge缓冲层技术在Si衬底上外延了张应变Ge薄膜。扫描电镜(TEM)图表明Si基外延Ge薄膜拥有低的位错密度,原子力显微镜(AFM)测试Ge层表面粗糙度仅为1.2 nm。对Si基外延Ge薄膜进行了不同温度下的退火,并用双晶X射线衍射(DCXRD)曲线和Raman谱进行表征。结果表明,Si基外延Ge薄膜受到的张应变随退火温度呈线性增加,当退火温度达到850℃时Si和Ge发生严重的互扩散,这种互扩散改变了室温PL谱,影响外延Ge薄膜特性。
- 郑元宇李成陈阳华赖虹凯陈松岩
- 关键词：退火互扩散
