孙开通
- 作品数：3 被引量：5H指数：1
- 供职机构：辽宁师范大学物理与电子技术学院更多>>
- 发文基金：辽宁省教育厅高校重点实验室项目国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- ZnO超长微米线制备及其在压电应力传感器方面的应用
- 作为新一代宽禁带半导体,ZnO具有许多优异的性质,比如场发射特性、化学和热学稳定性、高透明性、生物适应性以及宽电导率范围等,从而使ZnO在纳米科技的诸多领域有重要应用。人们针对ZnO的半导体压电耦合效应进行了广泛的研究,...
- 孙开通
- 文献传递
- CdS_xSe_(1-x)量子点异常的变温光致发光谱特性研究
- 2010年
- 采用一种简单的旋涂热蒸发方法在InP衬底上制备出CdSxSe1-x量子点.利用变温光致发光谱(温度范围:10～300K)研究CdSxSe1-x量子点的光学特性.在温度为180～200K范围内,光致发光谱的积分强度随温度升高呈现出一种异常现象.当温度由10K升至300K时,带隙能红移61.34meV.根据Vegard定律,由X射线衍射数据和室温光致发光谱峰位能量计算得到CdSxSe1-x量子点中S和Se的成分比为0.9:0.1.此外,通过光致发光谱峰位能量和曲线拟合得到CdS0.9Se0.1量子点材料Varshni关系参数为:α=(3.5±0.1)10-4eV/K,β=(210±10)K.
- 于东麒陈希张贺秋胡礼中乔双双孙开通
- 关键词：量子点
- PLD方法制备的ZnO纳米柱结构及光学特性被引量：5
- 2010年
- 采用无催化脉冲激光沉积(PLD)方法,在InP(100)衬底上生长纳米ZnO柱状结构。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)以及光致发光(PL)谱等表征手段对ZnO纳米柱的形貌、晶体结构和光学特性进行了观察。SEM图像观察到ZnO纳米柱状结构具有一定的取向性;XRD测试在2θ=34.10°处观测到强的ZnO(002)衍射峰,证实ZnO纳米柱具有较好的c轴择优取向;室温PL谱在379nm处观察到了强的自由激子发射峰(半峰全宽为19nm),未探测到深能级跃迁发射峰,表明生长的纳米ZnO结构具有很高的光学质量。
- 孙开通胡礼中于东麒李娇张贺秋付强陈希王彬
- 关键词：脉冲激光沉积PLXRD
