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李含东

作品数：1 被引量：4H指数：1
供职机构：四川大学材料科学与工程学院材料科学系更多>>
发文基金：四川省科技攻关计划国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电阻率
  • 1篇晶体
  • 1篇激活能
  • 1篇CDZNTE...
  • 1篇布里奇曼法

机构

  • 1篇四川大学

作者

  • 1篇魏昭荣
  • 1篇唐世红
  • 1篇朱世富
  • 1篇赵北君
  • 1篇高德友
  • 1篇王瑞林
  • 1篇韦永林
  • 1篇李含东

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2004
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
CdZnTe晶体的缺陷能级分析被引量：4
2004年
通过测试富Cd原料无籽晶垂直布里奇曼法生长出的高阻Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体的I T特性曲线,利用热激活能原理来分析单晶体内的缺陷,结果得到晶体中有一个由镉空位引起的电子陷阱,其深度为0.539eV。由于俘获能级有较高的激活能,在常温下,价带上的载流子不会被激发,所以该晶体适用于制作室温核辐射探测器。另外还研究了CZT晶体在室温下的I V特性,测得采用该方法生长的CZT单晶体电阻率高达5.0×1010Ω·cm,制作的核辐射探测器在室温下获得了比较好的241Am59.5keV能谱。
韦永林朱世富赵北君王瑞林高德友魏昭荣李含东唐世红
关键词：CDZNTE晶体布里奇曼法激活能电阻率
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