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李海燕

作品数：23 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第十一研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术文化科学电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇中文专利

领域

  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电子电信
  • 2篇文化科学

主题

  • 9篇芯片
  • 6篇探测器
  • 4篇电极
  • 4篇电路
  • 3篇铟柱
  • 3篇洗液
  • 3篇夹具
  • 2篇底座
  • 2篇第三电极
  • 2篇读出电路
  • 2篇镀金属
  • 2篇阳极
  • 2篇阳极氧化
  • 2篇样片
  • 2篇应力
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子浓度
  • 2篇三电极
  • 2篇锑化铟
  • 2篇退火

机构

  • 23篇中国电子科技...

作者

  • 23篇李海燕
  • 5篇刘铭
  • 2篇程鹏
  • 2篇孙浩
  • 2篇邢伟荣
  • 1篇喻松林
  • 1篇杜红艳
  • 1篇李忠贺
  • 1篇刘佳星

年份

  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 4篇2021
  • 6篇2020
  • 3篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
离子注入层载流子浓度测试方法
本发明公开了一种离子注入层载流子浓度测试方法。该方法包括步骤1，将样片固定到样片架上，对样片进行霍尔测试，获取样片的霍尔数据；步骤2，将样片从样片架上取下，进行离子注入、退火、以及清洗操作，测量样片的厚度，并重新将样片固...
李海燕亢喆程鹏
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一种测量锑化铟材料PN结深度的方法及系统
本发明提出了一种测量锑化铟材料PN结深度的方法及系统，用以简化锑化铟材料PN深度测量的工艺，降低测量成本。测量锑化铟材料PN结深度的方法，包括：将形成了PN结结构的锑化铟材料浸入腐蚀剂中腐蚀形成腐蚀坡；将腐蚀完成后的锑化...
邱国臣李海燕
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二类超晶格双色红外探测器及其制备方法
本发明公开了一种二类超晶格双色红外探测器及其制备方法，二类超晶格双色红外探测器，包括：读出电路；衬底，与读出电路相对且间隔排布；阵列设置于读出电路与衬底之间的多个台面像元结构，从读出电路至衬底的方向上，台面像元结构依次包...
张轶孙浩李海燕刘震宇刘铭
一种锑基光电探测器表面漏电流处理方法
本发明公开了一种锑基光电探测器表面漏电流处理方法，包括：将经过预处理之后的晶片通过预先设置好工艺参数的刻蚀设备进行刻蚀；对刻蚀后的晶片通过预先配制的腐蚀溶液进行腐蚀处理；在腐蚀处理后晶片的像元表面镀上预设电介质层，以完成...
邢伟荣温涛刘铭李海燕
一种清洗夹具
本发明公开了一种清洗夹具，包括：夹具底座、夹具顶盖、夹具固定杆。其中，夹具底座上设置有多条第一通道，每条第一通道均为具有中空结构的中空槽，中空槽的横截面为等腰梯形，等腰梯形的下底边靠近夹具顶盖，等腰梯形的上底边远离夹具顶...
李海燕
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一种制备电极孔的方法及计算机可读存储介质
本发明公开了一种制备电极孔方法及计算机可读存储介质，本发明通过在电极孔刻蚀后露出新鲜的半导体材料表面制备一层金属层，通过该金属层使得半导体材料表面不被空气、光刻胶沾污，同时也避免引入过多附加能级。也就是说，本发明通过金属...
李海燕邱国臣
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分离探测器混成芯片的工装、制备方法、分离方法
本发明公开了一种分离探测器混成芯片的工装、制备方法、分离方法。探测器混成芯片分离方法，包括：将透明基底的外表面划分为第一区域、第二区域和其他区域，其中，第一区域和第二区域相对且间隔排布；在其他区域镀金属薄膜；在第一区域涂...
黄婷李海燕
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二类超晶格双色红外探测器及其制备方法
本发明公开了一种二类超晶格双色红外探测器及其制备方法，二类超晶格双色红外探测器，包括：读出电路；衬底，与读出电路相对且间隔排布；阵列设置于读出电路与衬底之间的多个台面像元结构，从读出电路至衬底的方向上，台面像元结构依次包...
张轶孙浩李海燕刘震宇刘铭
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一种锑基光电探测器表面漏电流处理方法
本发明公开了一种锑基光电探测器表面漏电流处理方法，包括：将经过预处理之后的晶片通过预先设置好工艺参数的刻蚀设备进行刻蚀；对刻蚀后的晶片通过预先配制的腐蚀溶液进行腐蚀处理；在腐蚀处理后晶片的像元表面镀上预设电介质层，以完成...
邢伟荣温涛刘铭李海燕
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一种优化划片质量的方法
本发明公开了一种优化划片质量的方法，本发明通过在划片之前，先在划边线位置挖一定深度和宽度的凹槽，然后在进行划片，由于本发明的划片是在预先挖好的凹槽中进行的，所以本发明可提高软脆性材料划片质量，减少器件正表面崩边、毛刺现象...
李海燕邱国臣
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