杨晋勇
- 作品数：11 被引量：22H指数：3
- 供职机构：北京精密机电控制设备研究所更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信航空宇航科学技术理学一般工业技术更多>>
- 基于关键性能参数退化的伺服系统贮存寿命评估被引量：3
- 2017年
- 由于现代装备长寿命、高可靠的特点,较短时间内很难获得足够的失效数据,使得基于失效数据的寿命评估方法难以应用。相对于失效数据来说,产品的性能退化数据包含了更多的信息,而且通过产品的性能退化数据进行可靠性和寿命评估可以更加节约试验时间和费用,因此基于性能退化数据的寿命分析是解决长寿命、高可靠产品寿命评估问题的有效途径之一。本文以某型伺服系统为对象,根据自然贮存和加速贮存试验数据建立关键性能参数的退化模型,利用退化模型求解失效概率分布函数或贮存可靠度函数,进而得到基于关键性能参数的贮存寿命评估结果,最终实现对伺服系统贮存寿命的综合评估。
- 王静杨晋勇冯静
- 关键词：伺服系统
- 基于失效比对的复杂系统加速贮存寿命试验方法研究被引量：5
- 2016年
- 贮存寿命是武器装备的通用质量特性之一。通过加速试验数据进行复杂系统贮存寿命与可靠性评估时,由于其构成产品的加速模型和加速因子各不相同,在相同试验时间和环境条件下产品的加速效率不同,如何对复杂系统贮存寿命进行加速缺乏行之有效的方法。本文基于失效比对原理提出一种复杂系统加速贮存寿命试验方法,结合现役装备的年检数据进行贮存寿命与可靠性评估,提高复杂系统贮存寿命与可靠性评估精度,为改善在役装备的实战化水平提供理论依据和验证手段。
- 吴建国冯国林洪亮李海波杨晋勇
- 关键词：加速寿命试验
- 退化型与成败型产品现场贮存试验方法研究被引量：1
- 2017年
- 贮存寿命和贮存可靠性是装备产品重要的技术指标,现场贮存试验是确定产品贮存寿命和贮存可靠度的最直接最可信的方法,并可以验证加速贮存试验的正确性和有效性。针对"长期贮存、一次使用"的退化型和成败型产品,探讨了在可重复检测和破坏性检测情况下的现场贮存试验方法,给出了样品数量、测试间隔、测试频率等的确定方法,以获得贮存可靠性指标的准确估计。
- 徐静李海波杨晋勇付春雨吴建国
- 关键词：成败型产品
- 单轴应变Si NMOSFET热载流子栅电流模型被引量：1
- 2014年
- 热载流子效应产生的栅电流是影响器件功耗及可靠性的重要因素之一,本文基于热载流子形成的物理过程,建立了单轴应变硅NMOSFET热载流子栅电流模型,并对热载流子栅电流与应力强度、沟道掺杂浓度、栅源电压、漏源电压等的关系,以及TDDB(经时击穿)寿命与栅源电压的关系进行了分析研究.结果表明,与体硅器件相比,单轴应变硅MOS器件不仅具有较小的热载流子栅电流,而且可靠性也获得提高.同时模型仿真结果与单轴应变硅NMOSFET的实验结果符合较好,验证了该模型的可行性.
- 吕懿张鹤鸣胡辉勇杨晋勇
- 关键词：热载流子
- 单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管源漏电流特性模型被引量：1
- 2015年
- 本文在建立单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管迁移率模型和阈值电压模型的基础上,基于器件不同的工作区域,从基本的漂移扩散方程出发,分别建立了单轴应变Si NMOSFET源漏电流模型.其中将应力的影响显式地体现在迁移率和阈值电压模型中,使得所建立的模型能直观地反映出源漏电流特性与应力强度的关系.并且对于亚阈区电流模型,基于亚阈区反型电荷,而不是采用常用的有效沟道厚度近似的概念,从而提高了模型的精度.同时将所建模型的仿真结果与实验结果进行了比较,验证了模型的可行性.该模型已经被嵌入进电路仿真器中,实现了对单轴应变Si MOSFET器件和电路的模拟仿真.
- 吕懿张鹤鸣胡辉勇杨晋勇殷树娟周春宇
- 关键词：迁移率阈值电压
- 高k栅介质SOI应变硅肖特基源漏MOSFET漏致势垒降低效应研究被引量：2
- 2017年
- 高k栅介质SOI应变硅肖特基源漏MOSFET结合了应变硅工程、高k栅介质、SOI结构和肖特基源漏四者的优点,是一种实现小尺寸MOSFET的潜力器件.通过求解二维泊松方程建立了该结构的阈值电压模型,模型中考虑了镜像力势垒和小尺寸量子化效应对源漏极的电子本征肖特基势垒高度的影响,在阈值电压模型基础上获得了漏致势垒降低模型.从文献中提取漏致势垒降低的实验数据与模型进行对比,验证了其正确性,随后在此基础上讨论分析了漏致势垒降低和各项参数的变化关系.结果表明,漏致势垒降低随应变硅层厚度的变厚、沟道掺杂浓度的提高和锗组分的增大而增大,随沟道长度的变长、栅介质介电常数的增大、电子本征肖特基势垒高度的提高和漏源电压的增大而减小.适当调节模型参数,该结构可很好的抑制漏致势垒降低效应,对高k栅介质SOI应变硅肖特基源漏MOSFET器件以及电路设计具有一定的参考价值.
- 许立军张鹤鸣杨晋勇
- 关键词：MOSFET应变硅高K栅介质SOI
- 单轴应变硅N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管电容特性模型
- 2015年
- 电容特性模型是单轴应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Si MOSFET)和电路进行瞬态分析、交流小信号分析、噪声分析等的重要基础.本文首先建立了单轴应变Si NMOSFET的16个微分电容模型,并将微分电容的仿真结果与实验结果进行了比较,验证了所建模型的正确性.同时对其中的关键性栅电容C_(gg)与应力强度、偏置电压、沟道长度、栅极掺杂浓度等的关系进行了分析研究.结果表明,与体硅器件相比,应变的引入使得单轴应变Si NMOSFET器件的栅电容增大,随偏置电压、沟道长度、栅极掺杂浓度的变化趋势保持不变.
- 吕懿张鹤鸣胡辉勇杨晋勇殷树娟周春宇
- 关键词：栅电容
- 高压聚四氟乙烯软管组件承受热流环境的研究
- 耿树鲲杨晋勇
- 加速贮存与自然贮存对比验证技术研究被引量：7
- 2015年
- 由于加速贮存试验具有可以提前预测产品贮存寿命的特点,其应用范围越来越广。但与此同时,加速贮存试验结果能否与实际贮存试验结果取得一致,成为制约加速贮存技术工程应用的核心问题之一。通过对加速贮存试验与自然贮存试验不一致性的影响因素的分析,对常用的对比验证技术方法进行了梳理和归类,并结合当前工程应用中存在的问题,提出对比验证技术需进一步关注的研究内容。
- 王静冯静杨晋勇卢涛
- 关键词：一致性
- 膜片组件贮存失效分析与加速贮存试验研究被引量：2
- 2013年
- 膜片组件是影响某伺服系统贮存可靠性的关键部组件,在分析膜片组件在库房贮存条件下失效机理的基础上,通过有限元建模分析,预测了膜片组件的贮存主要失效模式。研究设计了膜片组件恒定温度应力加速贮存试验方案并实施试验,对膜片组件加速贮存试验获得的区间数据进行了插值处理,并对处理后的试验数据进行统计分析,得到了贮存条件下膜片组件的贮存期评估结论。
- 徐静李海波杨晋勇郑德强李振将
- 关键词：统计分析
