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林立

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第十一研究所更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇钝化层
  • 2篇显影液
  • 2篇芯片
  • 2篇硫化
  • 2篇硫化镉
  • 1篇亚胺
  • 1篇探测器
  • 1篇碲镉汞
  • 1篇碲镉汞光伏探...
  • 1篇酰亚胺
  • 1篇聚酰亚胺
  • 1篇光电
  • 1篇光电性
  • 1篇光电性能
  • 1篇光伏探测器
  • 1篇光敏
  • 1篇光敏聚酰亚胺
  • 1篇红外
  • 1篇红外探测
  • 1篇红外探测器

机构

  • 3篇中国电子科技...

作者

  • 3篇林立
  • 2篇郭喜
  • 2篇巩爽
  • 2篇李忠贺
  • 2篇刘佳星
  • 1篇田震

传媒

  • 1篇激光与红外

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2017
  • 1篇2015
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种硫化镉芯片及硫化镉芯片表面钝化层的制作方法
本发明提供一种硫化镉芯片及其表面钝化层的制作方法，用以解决目前硫化镉芯片制作工艺较为复杂的问题。该方法区别于传统物理、化学、淀积钝化层制备工艺，首次应用光敏型聚酰亚胺胶，该方法包括：在硫化镉芯片表面涂覆一层光敏聚酰亚胺胶...
郭喜李忠贺林立刘佳星巩爽
文献传递
甚长波碲镉汞光伏探测器伏安特性分析
2022年
分析了注入同质结N-on-P和液相外延异质结P-on-N碲镉汞甚长波红外探测器在不同工作温度下的I-V特性,并对R-V特性进行了仿真计算,对比了扩散电流、产生-复合电流、表面漏电流、带间隧穿电流和缺陷辅助隧穿电流等暗电流对两种器件R-V特性的不同影响。
林立刘世光田震程杰
关键词：碲镉汞I-V特性
一种硫化镉芯片及硫化镉芯片表面钝化层的制作方法
本发明提供一种硫化镉芯片及其表面钝化层的制作方法，用以解决目前硫化镉芯片制作工艺较为复杂的问题。该方法区别于传统物理、化学、淀积钝化层制备工艺，首次应用光敏型聚酰亚胺胶，该方法包括：在硫化镉芯片表面涂覆一层光敏聚酰亚胺胶...
郭喜李忠贺林立刘佳星巩爽
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