您的位置： 专家智库 > >

李忠贺

作品数：12 被引量：2H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十一研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 8篇探测器
  • 7篇红外
  • 5篇硫化
  • 5篇红外探测
  • 5篇红外探测器
  • 4篇探测器芯片
  • 4篇芯片
  • 3篇锑化铟
  • 3篇硫化镉
  • 3篇减薄
  • 2篇钝化层
  • 2篇置入
  • 2篇显影液
  • 2篇限位
  • 2篇芯片组件
  • 2篇硫化锌
  • 2篇膜层
  • 2篇焦平面
  • 2篇焦平面探测器
  • 2篇光板

机构

  • 12篇中国电子科技...

作者

  • 12篇李忠贺
  • 6篇宁提
  • 5篇李春领
  • 2篇马涛
  • 2篇郭喜
  • 2篇谭振
  • 2篇林立
  • 2篇巩爽
  • 2篇刘佳星
  • 1篇吴卿
  • 1篇赵凯
  • 1篇赵建忠
  • 1篇李海燕
  • 1篇杜红艳

传媒

  • 1篇红外

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 3篇2022
  • 2篇2020
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
共 12 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种硫化镉芯片及硫化镉芯片表面钝化层的制作方法
本发明提供一种硫化镉芯片及其表面钝化层的制作方法，用以解决目前硫化镉芯片制作工艺较为复杂的问题。该方法区别于传统物理、化学、淀积钝化层制备工艺，首次应用光敏型聚酰亚胺胶，该方法包括：在硫化镉芯片表面涂覆一层光敏聚酰亚胺胶...
郭喜李忠贺林立刘佳星巩爽
文献传递
CdS基肖特基型探测器芯片钝化膜的制备方法
本发明涉及钝化膜的制备方法，特别涉及一种CdS基肖特基型探测器芯片钝化膜的制备方法，具体为采用ZnS为材料，通过磁控溅射工艺设备制备CdS基肖特基型探测器芯片钝化膜，解决了现有技术中钝化膜的制备方法不适用于CdS肖特基型...
李忠贺
文献传递
高光谱红外探测器组件的研究进展被引量：2
2020年
描述了国外高光谱红外焦平面探测器组件的发展状况和工程应用情况,并介绍了国内高光谱红外焦平面探测器组件的研究进展。通过分析高光谱红外焦平面探测器的性能特点,提出了高光谱红外焦平面探测器的研究重点。
李忠贺董晨李春领于小兵
关键词：碲镉汞红外探测器组件红外成像
一种红外带通滤光片及其制备方法
本发明公开了一种红外带通滤光片及其制备方法，所述红外带通滤光片包括：依次层叠的基板与多层复合薄膜；所述基板采用硫化镉带通滤光片，所述多层复合薄膜的膜系结构为：1.3H0.3L3.05H0.368L6(0.587H0.66...
任秀娟李忠贺张伟婷宁提崔戈戴永喜王鹏赵凯曹凌霞
红外焦平面探测器的芯片组件及其制备方法
本发明公开了一种红外焦平面探测器的芯片组件及其制备方法。红外焦平面探测器的芯片组件，包括：锑化铟芯片；一氧化硅薄膜，设于锑化铟芯片的背面。采用本发明，通过采用一种机械附着力、硬度及应力、以及化学性质稳定性均比硫化锌还高的...
任秀娟李春领崔戈宁提亢喆谭振马涛李忠贺张克
文献传递
一种红外探测器背减薄的限位粘接模具
本发明公开了一种红外探测器背减薄的限位粘接模具，包括限位层和导热层；所述导热层，呈圆台结构，所述圆台结构的上表面设置有目标图案，且所述圆台结构的凸起部分的直径与所述限位层的内径相匹配；所述限位层，套设于所述导热层的圆台结...
张伟婷宁提李忠贺曹凌霞李春领
一种制冷型焦平面红外探测器件
本申请公开了一种制冷型焦平面红外探测器件，包括：探测器芯片，背面电极电连通，背面电极的一个表面镀有增透膜，台面像素设置于背面电极的另一个表面，台面像素的数量为多个、相互分立，且任一台面像素外围包覆有钝化层，且任一台面像素...
谭启广李忠贺张轶吴卿赵建忠
一种硫化镉芯片及硫化镉芯片表面钝化层的制作方法
本发明提供一种硫化镉芯片及其表面钝化层的制作方法，用以解决目前硫化镉芯片制作工艺较为复杂的问题。该方法区别于传统物理、化学、淀积钝化层制备工艺，首次应用光敏型聚酰亚胺胶，该方法包括：在硫化镉芯片表面涂覆一层光敏聚酰亚胺胶...
郭喜李忠贺林立刘佳星巩爽
红外焦平面探测器的芯片组件及其制备方法
本发明公开了一种红外焦平面探测器的芯片组件及其制备方法。红外焦平面探测器的芯片组件，包括：锑化铟芯片；一氧化硅薄膜，设于锑化铟芯片的背面。采用本发明，通过采用一种机械附着力、硬度及应力、以及化学性质稳定性均比硫化锌还高的...
任秀娟李春领崔戈宁提亢喆谭振马涛李忠贺张克
文献传递
锑化铟晶片正面减薄厚度的测量方法及测量系统
本发明提出了一种锑化铟晶片正面减薄厚度的测量方法及测量系统，测量方法包括：获取减薄工艺前的锑化铟晶片的第一质量和厚度；获取减薄工艺后的锑化铟晶片的第二质量；根据第一质量、第二质量、厚度及预先确定的正面减薄速率系数计算锑化...
米南阳宁提李忠贺赵德晨陈止戈崔建维
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0