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张泽芳

作品数:12 被引量:16H指数:2
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:上海市科学技术委员会资助项目国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信机械工程理学更多>>

文献类型

  • 5篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 6篇纳米
  • 6篇化学机械抛光
  • 6篇机械抛光
  • 5篇氧化硅
  • 5篇氧化铈
  • 5篇抛光
  • 5篇抛光液
  • 4篇蓝宝
  • 4篇蓝宝石
  • 3篇电路
  • 3篇集成电路
  • 3篇超大规模集成
  • 3篇超大规模集成...
  • 3篇大规模集成电...
  • 2篇低温烘干
  • 2篇英文
  • 2篇煅烧
  • 2篇煅烧温度
  • 2篇无机纳米
  • 2篇无机纳米材料

机构

  • 12篇中国科学院
  • 4篇上海新安纳电...
  • 2篇中国科学院研...

作者

  • 12篇张泽芳
  • 10篇宋志棠
  • 10篇刘卫丽
  • 3篇俞磊
  • 2篇汪海波
  • 2篇张磊
  • 1篇潘忠才
  • 1篇胡晓凯
  • 1篇张磊
  • 1篇闫未霞
  • 1篇王良咏
  • 1篇侯蕾
  • 1篇秦飞

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇无机化学学报
  • 1篇润滑与密封
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 2篇2011
  • 4篇2010
  • 1篇2009
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种菱形片状氧化铈的制备方法
本发明属于无机纳米材料制备技术领域,具体涉及一种菱形片状氧化铈的制备方法。本发明的制备方法包括如下步骤:将硝酸铈铵,沉淀剂和硅烷偶联剂溶于水中,搅拌均匀至完全溶解后,进行加热回流反应,反应温度为70~100℃,时间为1~...
刘卫丽张泽芳俞磊宋志棠
一种改性的纳米氧化铈及其制备与应用
本发明涉及一种改性的纳米氧化铈及其制备与应用。本发明采用硅烷偶联剂氨丙基三乙氧基硅烷对纳米氧化铈粉末进行改性。由改性后的氧化铈配制成的抛光液,对超大规模集成电路二氧化硅层间介质和光盘玻璃进行抛光,可明显降低表面的粗糙度。
张泽芳刘卫丽宋志棠
文献传递
纳米SiO_2抛光液的制备及在蓝宝石抛光中的应用被引量:5
2013年
制备一种纳米氧化硅抛光液,采用扫描电子显微镜、激光粒度仪、颗粒计数仪等对其物性参数进行表征;使用该抛光液对LED蓝宝石衬底进行机械化学抛光,采用轮廓仪、表面缺陷检测设备、原子力显微镜等对抛光后的蓝宝石衬底表面进行表征。结果表明,制备的纳米氧化硅抛光液对LED蓝宝石衬底具有优异的抛光性能,抛光后的表面无划伤、无腐蚀坑,且粗糙度小于0.2 nm。
张泽芳侯蕾闫未霞刘卫丽宋志棠
关键词:蓝宝石氧化硅抛光LED抛光液
一种氧化硅/氧化铈复合磨粒的制备方法
本发明涉及一种氧化硅/氧化铈复合磨粒的制备方法,包括下列步骤:1)在硅溶胶中加入有机添加剂,搅拌溶解,而后加入三价铈盐或四价铈盐制得分散液;2)将分散液置于带有聚四氟内衬的高压釜中,密封后,加热反应;3)反应完毕后离心分...
张泽芳刘卫丽宋志棠
文献传递
水玻璃为原料制备纳米氧化硅磨料及应用于硅片抛光(英文)
化学机械抛光技术广泛应用于集成电路制造平坦化工艺制程。本文中以水玻璃为初始原料,通过硅酸分子间的聚合反应流程,制备了化学机械抛光专用胶体二氧化硅纳米研磨料。通过硅酸的持续加入,氧化硅纳米颗粒的直径增加。采用扫描电子显微镜...
胡晓凯宋志棠汪海波刘卫丽潘忠才秦飞张泽芳张磊
关键词:氧化硅磨料化学机械抛光水玻璃
文献传递
氧化硅-氧化铈核壳复合磨料颗粒及其制备和应用
本发明属于微电子加工中的化学机械抛光浆液领域,具体涉及氧化硅-氧化铈核壳复合磨料颗粒及其制备和应用。本发明的氧化硅-氧化铈核壳复合磨料颗粒包含氧化硅和氧化铈,且所述复合磨料颗粒的内核为球形氧化硅内核,外壳为氧化铈包覆层。...
张泽芳刘卫丽宋志棠
一种新型复合磨料对铜的化学机械抛光研究被引量:8
2011年
磨料是化学机械抛光(CMP)中重要的组成部分,是决定抛光平坦化的重要影响因素。采用两步法制备了新型的氧化硅包覆聚苯乙烯(PS)核壳型复合磨料,采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM),X射线能量色散谱(EDX)等对复合磨料进行了表征。结果表明所制备的复合磨料具有核壳结构,且表面光滑。随后复合磨料对比硅溶胶对铜化学机械抛光进行研究,采用原子力显微镜(AFM)观测表面的微观形貌,并测量了表面粗糙度。经过复合磨料抛光后的铜片粗糙度为0.58nm,抛光速率为40nm/min。硅溶胶抛光后的铜片的粗糙度是1.95nm,抛光速率是37nm/min。
张磊汪海波张磊汪海波张泽芳王良咏
关键词:化学机械抛光
单晶菱形CeOHCO_3片状物的制备及其向CeO_2的热转换(英文)被引量:1
2011年
以硝酸铈铵和尿素为反应物,γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)为助剂,通过沉淀反应制得了单晶菱形CeOHCO3片状物。然后将CeOHCO3在600℃空气气氛中灼烧获得了菱形CeO2。通过XRD和SEM对反应物中是否含有KH550助剂所得的产物进行了分析,结果发现只有含有KH550才能获得菱形CeOHCO3片状物,并且在灼烧过程中产物的形貌仍保持菱形。然后采用TEM对菱形CeOHCO3和CeO2进行了表征,结果发现CeOHCO3为单晶产物而灼烧后所得的CeO2为多晶产物。
张泽芳俞磊刘卫丽宋志棠
关键词:CEO2沉淀法
纳米SiO2抛光液的制备及其在蓝宝石CMP中的应用
本文制备了一种纳米氧化硅抛光液,采用扫描电镜、激光粒度仪、大颗粒计数仪对其进行了表征.进而研究了其在蓝宝石表面的抛光性能,采用FRT、Candela、原子力显微镜等对抛光后的表面进行了表征.结果表明制备的纳米氧化硅抛光液...
张泽芳刘卫丽宋志棠
关键词:蓝宝石衬底性能表征
文献传递
一种菱形片状氧化铈的制备方法
本发明属于无机纳米材料制备技术领域,具体涉及一种菱形片状氧化铈的制备方法。本发明的制备方法包括如下步骤:将硝酸铈铵,沉淀剂和硅烷偶联剂溶于水中,搅拌均匀至完全溶解后,进行加热回流反应,反应温度为70~100℃,时间为1~...
刘卫丽张泽芳俞磊宋志棠
文献传递
共2页<12>
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