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汪海波

作品数:10 被引量:19H指数:2
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:上海市重大科技攻关项目国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信生物学更多>>

文献类型

  • 7篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇生物学

主题

  • 6篇化学机械抛光
  • 6篇机械抛光
  • 5篇离子
  • 4篇阳离子
  • 4篇阳离子交换
  • 4篇阳离子交换树...
  • 4篇离子交换
  • 4篇离子交换树脂
  • 4篇交换树脂
  • 3篇抛光
  • 3篇磨料
  • 2篇氧化硅
  • 2篇阴离子
  • 2篇阴离子交换
  • 2篇阴离子交换树...
  • 2篇溶胶
  • 2篇抛光液
  • 2篇微电子
  • 2篇粒径
  • 2篇流出液

机构

  • 10篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇上海新安纳电...

作者

  • 10篇宋志棠
  • 10篇刘卫丽
  • 10篇汪海波
  • 4篇张磊
  • 3篇胡晓凯
  • 2篇封松林
  • 2篇张泽芳
  • 1篇潘忠才
  • 1篇张楷亮
  • 1篇张磊
  • 1篇王良咏
  • 1篇秦飞
  • 1篇俞沁聪

传媒

  • 2篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2012
  • 3篇2011
  • 3篇2010
  • 3篇2009
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种提高硅衬底化学机械抛光速率的抛光组合物及其应用
本发明公开了一种提高硅衬底化学机械抛光速率的抛光组合物及其应用,本发明的抛光组合物,包括水、磨料和氟离子速率促进剂,所述抛光组合物的pH值为碱性,且金属杂质含量在100ppm以下。本发明的抛光组合物能显著提高抛光速率与表...
汪海波宋志棠刘卫丽
一种化学机械抛光用磨料及其制备方法
本发明提供了一种化学机械抛光用磨料及其制备方法,用于化学机械抛光领域。将纳米级的SiO<Sub>2</Sub>磨料稀释成浓度10%(质量分数)以下,作为生长的基体。用铝盐在80-90℃下加入水解,然后加入酸在90-100...
汪海波刘卫丽宋志棠封松林
文献传递
一种化学机械抛光用磨料及其制备方法
本发明提供了一种化学机械抛光用磨料及其制备方法,用于化学机械抛光领域。将纳米级的SiO<Sub>2</Sub>磨料稀释成浓度10%(质量分数)以下,作为生长的基体。用铝盐在80-90℃下加入水解,然后加入酸在90-100...
汪海波刘卫丽宋志棠封松林
文献传递
水玻璃为原料制备纳米氧化硅磨料及应用于硅片抛光(英文)
化学机械抛光技术广泛应用于集成电路制造平坦化工艺制程。本文中以水玻璃为初始原料,通过硅酸分子间的聚合反应流程,制备了化学机械抛光专用胶体二氧化硅纳米研磨料。通过硅酸的持续加入,氧化硅纳米颗粒的直径增加。采用扫描电子显微镜...
胡晓凯宋志棠汪海波刘卫丽潘忠才秦飞张泽芳张磊
关键词:氧化硅磨料化学机械抛光水玻璃
文献传递
一种新型复合磨料对铜的化学机械抛光研究被引量:8
2011年
磨料是化学机械抛光(CMP)中重要的组成部分,是决定抛光平坦化的重要影响因素。采用两步法制备了新型的氧化硅包覆聚苯乙烯(PS)核壳型复合磨料,采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM),X射线能量色散谱(EDX)等对复合磨料进行了表征。结果表明所制备的复合磨料具有核壳结构,且表面光滑。随后复合磨料对比硅溶胶对铜化学机械抛光进行研究,采用原子力显微镜(AFM)观测表面的微观形貌,并测量了表面粗糙度。经过复合磨料抛光后的铜片粗糙度为0.58nm,抛光速率为40nm/min。硅溶胶抛光后的铜片的粗糙度是1.95nm,抛光速率是37nm/min。
张磊汪海波张磊汪海波张泽芳王良咏
关键词:化学机械抛光
一种硅溶胶晶种的制备方法
本发明属于微电子及光电子材料技术领域,具体涉及一种硅溶胶晶种的制备方法。本发明的制备方法包括:将碱性硅酸盐质水溶液与酸性硅酸盐质水溶液混合后制得弱碱性混合硅酸盐质水溶液;弱碱性混合硅酸盐质水溶液经水热反应制得硅溶胶晶种。...
胡晓凯宋志棠刘卫丽汪海波张磊
文献传递
一种化学机械抛光液回收和重复利用的方法
本发明公开了一种化学机械抛光液回收和重复利用的方法,包括下列步骤:将已使用过的抛光液经过滤膜过滤后收集滤液;将滤液过阳离子交换树脂后,收集流出液;将获得的流出液再过阴离子交换树脂,收集流出液;将获得的流出液作为原料用于配...
汪海波刘卫丽宋志棠
文献传递
一种硅溶胶晶种的制备方法
本发明属于微电子及光电子材料技术领域,具体涉及一种硅溶胶晶种的制备方法。本发明的制备方法包括:将碱性硅酸盐质水溶液与酸性硅酸盐质水溶液混合后制得弱碱性混合硅酸盐质水溶液;弱碱性混合硅酸盐质水溶液经水热反应制得硅溶胶晶种。...
胡晓凯宋志棠刘卫丽汪海波张磊
文献传递
一种化学机械抛光液回收和重复利用的方法
本发明公开了一种化学机械抛光液回收和重复利用的方法,包括下列步骤:将已使用过的抛光液经过滤膜过滤后收集滤液;将滤液过阳离子交换树脂后,收集流出液;将获得的流出液再过阴离子交换树脂,收集流出液;将获得的流出液作为原料用于配...
汪海波刘卫丽宋志棠
工艺条件对蓝宝石化学机械抛光的影响被引量:11
2010年
系统研究了抛光液的pH值、抛光压力和相对转速等因素对蓝宝石抛光速率和表面粗糙度的影响,研究结果表明:随pH值(9-12)的升高,抛光速率增加,表面粗糙度先降低后升高;随抛光压力和相对转速的增加,抛光速率先增加后降低,表面粗糙度先降低后升高。研究分析认为:pH值因影响在蓝宝石表面形成的水化层从而影响抛光速率和粗糙度;与抛光压力和相对转速相关的Hersey系数对抛光效果影响很大,当Hersey系数为24时,蓝宝石的抛光速率和表面平整度均达到最佳。
汪海波俞沁聪刘卫丽宋志棠张楷亮
关键词:蓝宝石二氧化硅PH值
共1页<1>
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