陈挺
- 作品数：7 被引量：90H指数：2
- 供职机构：北京大学更多>>
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- 硅PN结电致发光和硅基选区金属键合激光
- 硅基光源作为硅光子学的核心部件，近年来越来越成为研究热点。在众多硅基光源中，硅PN结电致发光和硅基键合激光近年来国际上都有重大突破，部分成果目前已经接近能实用化的程度。本论文主要围绕这两方面展开工作：在硅PN结电致发光方...
- 陈挺
- 关键词：电致发光阳极氧化铝
- 金属键合硅基激光器的制备方法
- 本发明公开了一种金属键合硅基激光器的制备方法，该方法包括：在SOI硅片的硅膜上刻蚀出硅波导和键合区，并在硅波导和键合区之间刻蚀一硅阻挡墙；然后，在SOI硅片的键合区内，从下到上依次制备粘附金属层、欧姆接触层和键合金属层；...
- 秦国刚洪涛陈挺冉广照陈娓兮
- GaN基白光LED的结温测量被引量：54
- 2006年
- 用正向电压法、管脚法和蓝白比法等三种方法测量GaN基白光LED的结温,获得了较为准确的结温,误差可以控制在4℃以内。正向电压法在恒定电流的条件下,得到了正向电压与结温的线性关系;蓝白比法在不同环境温度和不同注入电流两种情况下,都得到了蓝白比与结温较好的线性关系。提出了蓝白比法可能的物理机制,提高环境温度和增大注入电流都会使结温升高,蓝光峰值波长也会改变,这两个因素都会影响荧光粉的激发和发光效率。降低结温需要考虑的主要因素有白光LED的接触电阻、串联电阻和外量子效率,封装材料的热导率,反射杯和管脚的设计,以及空气散热部分的散热面积等。
- 陈挺陈志忠林亮童玉珍秦志新张国义
- 关键词：GAN基白光LED结温正向电压电致发光谱
- 金属键合硅基激光器的制备方法
- 本发明公开了一种金属键合硅基激光器的制备方法，该方法包括：在SOI硅片的硅膜上刻蚀出硅波导和键合区，并在硅波导和键合区之间刻蚀一硅阻挡墙；然后，在SOI硅片的键合区内，从下到上依次制备粘附金属层、欧姆接触层和键合金属层；...
- 秦国刚洪涛陈挺冉广照陈娓兮
- 文献传递
- 白光LED的加速老化特性被引量：47
- 2005年
- 对两组GaN基白光发光二极管(LED)进行了对比温度加速老化实验,环境温度分别是80,100℃。随着老化温度的升高,电流-电压(I-V)曲线的隧道电流段、扩散电流段以及反向漏电电流均增加,而串联电阻段则变化较小,这是位错密度升高和金属杂质沿着螺旋位错聚集及移动的结果;电容-电压(C-V)曲线中反向偏压下电容减少,正向偏压下电容增大,这是由于螺位错和混合位错产生了漏电的通道;电致发光光谱中黄光荧光成分比重增加;光通量随时间开始缓慢降低,在某一个时刻突然急剧降低,显示各个老化因素累积的影响会在某一时刻导致白光LED突然失效。最后使用阿列纽斯关系计算出所用白光LED的寿命为2.3万小时。
- 林亮陈志忠陈挺童玉珍秦志新张国义
- 关键词：GAN基白光LED电流-电压光通量
- 硅基掺锰富硅氧化硅薄膜的电致发光
- 2009年
- 硅光子学中的关键问题是研制高效率的硅基光源,文章为此提出了一种实现硅基发光的方法。采用共溅射的方法在n+型重掺杂硅衬底上制备了富硅氧化硅(SiO2∶Si)薄膜,然后用热扩散法进行了锰(Mn2+)掺杂和光学活化。高分辨透射电镜观察表明薄膜中形成了3~5 nm的硅纳米晶体。该薄膜在紫外光照射下发射出明亮的绿光,光致发光谱峰位在524 nm(2.36 eV),一般认为这是来自Mn2+能级4T1→6A1基态跃迁的绿光辐射;其荧光寿命为0.8 ms。将该掺锰富硅二氧化硅(SiO2∶Si∶Mn2+)做成电致发光结构,在低反偏电压下观察到近乎白色的电致发光(EL),光谱范围覆盖了400~800 nm。研究表明,该电致发光谱来源于薄膜中的Mn2+以及氧化硅中的缺陷发光中心两者光谱的叠加;Mn2+的发光是靠薄膜中的热电子来激发的;并由此探讨了薄膜中的硅纳米晶体在电致发光过程中的作用。
- 文杰陈挺冉广照
- 关键词：纳米硅电致发光光致发光
- 一种硅基有机电致发光器件及其制备方法
- 本发明公开了一种硅基有机电致发光器件及其制备方法，该器件的阳极是一含产生中心的n-Si薄膜电极。在衬底上直接溅射n-Si超薄层，或者沉积一导电薄层后再溅射n-Si超薄层，然后通过金属诱导晶化形成n-Si薄膜，随后在其中引...
- 秦国刚李延钊陈挺徐万劲冉广照
- 文献传递
