王槿
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：大连理工大学电子科学与技术学院更多>>
- 发文基金：教育部留学回国人员科研启动基金重大基础研究前期研究专项辽宁省自然科学基金更多>>
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- TiC//n型4H-SiC半导体欧姆接触研究
- 新一代半导体材料碳化硅/(SiC/)是制作高温、高频、高功率器件的理想材料,欧姆接触技术是新型半导体材料尤其是宽带隙半导体器件研究的难点和关键技术。欧姆接触不仅与电极材料的种类有关,还受半导体表面态的影响。本文选用新型电...
- 王槿
- 关键词：4H-SICTIC氢等离子体欧姆接触比接触电阻
- 文献传递
- TiC/n型4H-SiC欧姆接触的低温退火研究
- 2009年
- 利用电子回旋共振(ECR)氢等离子体处理n型4H-SiC(0.5～1.5×1019cm-3)表面,采用溅射法制备碳化钛(TiC)电极,并在低温(<800℃)条件下退火。直线传输线模型(TLM)测试结果表明,TiC电极无需退火即可与SiC形成欧姆接触,采用ECR氢等离子体处理能明显降低比接触电阻,并在600℃退火时获得了最小的比接触电阻2.45×10-6Ω.cm2;当退火温度超过600℃时,欧姆接触性能开始退化,但是比接触电阻仍然低于未经氢等离子体处理的样品,说明ECR氢等离子体处理对防止高温欧姆接触性能劣化仍有明显的效果。利用X射线衍射(XRD)分析了不同退火温度下TiC/SiC界面的物相组成,揭示了电学特性与微观结构的关系。
- 王德君王槿陈素华朱巧智秦福文
- 关键词：碳化硅碳化钛欧姆接触比接触电阻
