李丹丹
- 作品数：8 被引量：29H指数：2
- 供职机构：中北大学更多>>
- 发文基金：国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理更多>>
- ICP深硅刻蚀工艺掩模的研究被引量：7
- 2015年
- 通过使用深硅等离子刻蚀机,以C4F8和SF6为刻蚀气体,对以光刻胶与金属铝两种材料作为掩模的深硅刻蚀结果进行对比,研究了深硅刻蚀过程中掩模材料对刻蚀结果的影响。实验结果表明:以光刻胶做掩模,深硅刻蚀后硅侧壁和硅底部表面形貌平整,垂直度较之铝掩模相当;以金属铝做掩模,深硅刻蚀后深槽底部表面不平整,出现长草现象,但是刻蚀选择比大于光刻胶,两种掩模的硅刻蚀速率相当。
- 李丹丹梁庭李赛男姚宗熊继军
- 关键词：感应耦合等离子体掩模光刻胶表面形貌
- 压阻式MEMS高温压力传感器设计与关键工艺研究被引量：1
- 2016年
- 在SIMOX技术SOI晶圆的基础上,设计了压力敏感芯片结构,并基于MEMS工艺制作了压力敏感芯片。根据芯片实际情况,分析了传感器制备过程的关键工艺参数及其影响。同时采用5 V恒压源供电,在相同情况下,增加kulite压力传感器背靠背测量不同气压下的输出电压值并比较。测量结果表明,所制备的SOI压力传感器线性度达到0.99%,重复性高达0.35%,迟滞性为0.1%,有望用到实际工程应用中。
- 李丹丹梁庭李赛男姚宗熊继军
- 关键词：压力敏感芯片
- 一种基于LC谐振传感器的力学参数测量系统与测量方法
- 本发明公开了一种基于LC谐振传感器的力学参数测量系统与测量方法，所述系统包括DDS扫频信号源模块、高频功率放大器模块、第一移相器、第二移相器、互感耦合前端模块、相差检测模块、信号采集模块、中央处理单元；当系统对前端读取天...
- 熊继军洪应平梁庭李丹丹郑庭丽任重李晨李赛男
- 文献传递
- 基于MEMS工艺的SOI高温压力传感器设计被引量：20
- 2015年
- 利用MEMS(微机电系统)工艺中的扩散,刻蚀,氧化,金属溅射等工艺制备出SOI高温压力敏感芯片,并通过静电键合工艺在SOI芯片背面和玻璃间形成真空参考腔,最后通过引线键合工艺完成敏感芯片与外部设备的电气连接。对封装的敏感芯片进行高温下的加压测试,高温压力测试结果表明,在21℃(常温)至300℃的温度范围内,传感器敏感芯片可在压力量程内正常工作,传感器敏感芯片的线性度从0.9 985下降为0.9 865,控制在较小的范围内。高温压力下的性能测试结果表明,该压力传感器可用于300℃恶劣环境下的压力测量,其高温下的稳定性能为压阻式高温压力芯片的研制提供了参考。
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- 关键词：高温压力传感器压阻
- 企业社会责任和财务绩效的关系研究——基于无形资源的中介效应
- 经济发展以及生活质量的改善，使得公众日益重视企业社会责任的表现。重视员工和消费者利益、保护环境、热衷慈善等社会责任实践活动不仅能够帮助企业塑造积极正面的社会形象，又能为企业的经营发展带来好处。然而，有关报告表示目前企业承...
- 李丹丹
- 关键词：企业社会责任财务绩效无形资源中介效应产权性质
- 一种基于LC谐振传感器的力学参数测量系统与测量方法
- 本发明公开了一种基于LC谐振传感器的力学参数测量系统与测量方法，所述系统包括DDS扫频信号源模块、高频功率放大器模块、第一移相器、第二移相器、互感耦合前端模块、相差检测模块、信号采集模块、中央处理单元；当系统对前端读取天...
- 熊继军洪应平梁庭李丹丹郑庭丽任重李晨李赛男
- 文献传递
- 基于SOI薄膜的硅压敏电阻变化率计算方法
- 2015年
- 用小挠度方形膜作为理论模型,提出了一种基于绝缘体上硅(SOI)敏感薄膜的硅压敏电阻变化率新型积分计算方法。针对传统中心点计算方法的不足,通过整个平面积分的方法计算电阻变化率,并计算出输出电压和外部气压的关系表达式,与传统中心点计算方法进行比较;同时,利用仿真的方法算出灵敏度,并将计算的理论值与实验值进行比较。实验结果表明,外界温度不变,当输入电压为5 V、单个压敏电阻值为4.5 kΩ时,敏感芯片的灵敏度为6.028 3×10-4 mV/Pa。该灵敏度值相比传统中心点法和仿真计算方法,与采用新型积分计算方法的计算值更接近。
- 李丹丹梁庭李赛男姚宗洪应平齐蕾杨帆熊继军
- 关键词：压敏电阻压力传感器灵敏度
- 一种高温压阻式压力传感器的制备与倒装焊接被引量：2
- 2015年
- 通过高温烧结技术得到了总体尺寸为15 mm×15 mm×0.6 mm的低温共烧陶瓷（LTCC）转接基板,并通过丝网印刷方式将转接焊盘的图形转移到经过高温烧结的LTCC转接基板上,形成金凸点和互连线图形;同时利用MEMS工艺中的刻蚀、氧化、金属蒸发和静电键合等工艺制备出SOI高温压力敏感芯片,最后通过采用各向异性导电胶的装配方式将高温压力敏感芯片倒装焊接到氧化铝陶瓷基板上,对倒装封装的敏感芯片进行高温下的加压测试。高温压力测试结果表明,在220℃的高温环境下,0~600 kPa的测试压力范围内,传感器的输出电压-外部气压曲线呈现出良好的线性特征,线性范围大且迟滞性小,可望用于220℃恶劣环境下的压力测量。
- 李丹丹梁庭姚宗李赛男熊继军
- 关键词：各向异性导电胶
