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闫伟

作品数:8 被引量:1H指数:1
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划河北省科学技术研究与发展计划项目更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇热阻
  • 3篇脉冲
  • 3篇二极管
  • 3篇LED
  • 2篇导通
  • 2篇电极
  • 2篇阳极
  • 2篇阴极
  • 2篇深能级
  • 2篇能级
  • 2篇脉冲源
  • 2篇金属
  • 2篇金属电极
  • 2篇可靠性
  • 2篇半导体
  • 1篇电路
  • 1篇电平
  • 1篇窄脉冲
  • 1篇势垒
  • 1篇输出模块

机构

  • 8篇中国电子科技...

作者

  • 8篇闫伟
  • 3篇吴洪江
  • 3篇刘忠山
  • 3篇王敬轩
  • 3篇王勇
  • 3篇王永维
  • 2篇陈凤霞
  • 2篇张万生
  • 1篇刘健
  • 1篇默立冬
  • 1篇党冀萍
  • 1篇汪江涛

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇中国照明
  • 1篇第九届全国L...
  • 1篇全国第19届...

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2011
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2004
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
13PG1821M型高重频窄脉冲输出模块
2016年
中国电子科技集团公司第十三研究所成功研制出专用于高压窄脉冲输出的新型器件—DSRD,并开发出以此器件为核心的全固态小型化高重复频率窄脉冲输出模块。主要技术指标如下:(1)输入要求:电源为DC105 V,DC18 V双电源,信号为TTL电平,频率f≤1 MHz,脉宽τ≤50 ns;(2)输出脉冲:峰值电压为1 750 V,上升沿为1 ns。
闫伟
关键词:输出模块窄脉冲高重频高重复频率TTL电平脉冲输出
深能级快速离化导通器件及其制造方法
本发明公开了一种深能级快速离化导通器件及其制造方法,属于半导体器件工艺制造技术领域。本发明包括N型半导体基片,所述N型半导体基片的正面为P型扩散区,所述P型扩散区上分布阴极P<Sup>+</Sup>区、阴极N<Sup>+...
王敬轩刘忠山闫伟王永维王勇
文献传递
一种半导体功率器件的热阻测试仪
一种半导体功率器件的热阻测试仪,解决了由于单台热阻测试仪只能测量单类型的器件热阻的技术问题,采用的技术方案是,电路结构中包括带有配套管理程序的CPU、热阻测试电路、以及热阻测试参数采集电路,上述的热阻测试仪的电路结构中增...
闫伟汪江涛陈凤霞吴洪江默立冬
文献传递
深能级快速离化导通器件及其制造方法
本发明公开了一种深能级快速离化导通器件及其制造方法,属于半导体器件工艺制造技术领域。本发明包括N型半导体基片,所述N型半导体基片的正面为P型扩散区,所述P型扩散区上分布阴极P<Sup>+</Sup>区、阴极N<Sup>+...
王敬轩刘忠山闫伟王永维王勇
文献传递
测量功率LED热阻的新型仪器
本文主要对正向电压法和用于测量热阻的NC2992型半导体器件可靠性分析仪简介作一介绍,并给出了F002型功率LED热阻测试结果.
闫伟陈凤霞吴洪江张万生
关键词:半导体照明可靠性分析热阻测试发光二极管
文献传递
3300V碳化硅肖特基二极管及混合功率模块研制被引量:1
2017年
基于数值仿真结果,采用结势垒肖特基(JBS)结构和多重场限环终端结构实现了3 300 V/50 A 4H-Si C肖特基二极管(SBD),所用4H-Si C外延材料厚度为35μm、n型掺杂浓度为2×1015cm-3。二极管芯片面积为49 mm2,正向电压2.2 V下电流达到50 A,比导通电阻13.7 mΩ·cm2;反偏条件下器件的雪崩击穿电压为4 600 V。基于这种3 300 V/50 A 4H-Si C肖特基二极管,研制出3 300 V/600 A混合功率模块,该模块包含24只3 300 V/50 A Si IGBT与12只3 300 V/50 A 4H-Si C肖特基二极管,Si C肖特基二极管为模块的续流二极管。模块的动态测试结果为:反向恢复峰值电流为33.75 A,反向恢复电荷为0.807μC,反向恢复时间为41 ns。与传统的Si基IGBT模块相比,该混合功率模块显著降低了器件开关过程中的能量损耗。
王永维王敬轩刘忠山闫伟王勇党冀萍
关键词:4H-SIC肖特基势垒二极管
LED热阻专用测试仪器
2007年
本文简要介绍了热阻测试仪器:NC2993型二极管热阻测试仪、NC8861型恒温夹具控制仪的功能和主要技术指标。
闫伟吴洪江张万生
关键词:热阻LED技术指标二极管控制仪
LED器件热阻测试仪的研制
本文介绍了 LED 热阻测试仪的工作原理、实现方法、技术指标以及使用效果。主要研究测试系统中的程控时序控制和多路数据采集、高精度器件壳温测量与控制等技术,设计开发了 LED 热阻测试仪和配套恒温夹具。LED 热阻测试仪的...
刘健闫伟
关键词:LED可靠性热阻测试仪
文献传递
共1页<1>
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