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毕大炜

作品数：30 被引量：15H指数：2
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
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共 26 条 记 录，以下是 1-10
张正选
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 总剂量辐射效应 MOS器件 绝缘体上硅 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡志远
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 沟道 沟槽隔离 总剂量效应 深亚微米器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邹世昌
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子注入 离子束 硅 SOI 巨磁电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈明
供职机构：中国科学院
研究主题：总剂量辐射效应 SOI 沟道 总剂量辐射 总剂量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宁冰旭
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 沟道 沟槽隔离 深亚微米器件 微米
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘张李
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：深亚微米器件 沟槽隔离 沟道 微米 总剂量辐射效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
俞文杰
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：图形化 硅 衬底 沟道 晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王茹
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：总剂量辐射效应 SOI 总剂量辐射 硅 绝缘体上硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭超
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 沟道 网络 驱动电流 两级保护
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
田浩
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：总剂量辐射效应 总剂量辐射 SOI 硅 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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