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戴显英

作品数:243 被引量:182H指数:8
供职机构:西安电子科技大学微电子学院更多>>
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领域

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地区

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108 条 记 录,以下是 1-10
张鹤鸣
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡辉勇
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝跃
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宣荣喜
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋建军
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
舒斌
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:BICMOS 应变SI 双极器件 光刻 多晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
祁林林
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:晶圆 绝缘层 塑性形变 氮化硅 非晶化
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
焦帅
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:晶圆 绝缘层 塑性形变 氮化硅 非晶化
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁彬
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:晶圆 绝缘层 塑性形变 氮化硅 非晶化
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周春宇
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:BICMOS 应变SI 双极器件 光刻 多晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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