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袁之良

作品数:8 被引量:2H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家攀登计划更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

领域

  • 21个电子电信
  • 21个理学
  • 11个机械工程
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  • 2个环境科学与工...
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主题

  • 21个量子
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  • 11个探测器
  • 11个子带
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  • 8个折射率
  • 7个立方相
  • 6个单量子阱

机构

  • 21个中国科学院
  • 6个国家光电子工...
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  • 1个南开大学
  • 1个华东理工大学
  • 1个南京电子器件...
  • 1个河北工学院
  • 1个北京工业大学
  • 1个清华大学
  • 1个西安理工大学
  • 1个天津工业大学
  • 1个昆明物理研究...

资助

  • 21个国家自然科学...
  • 11个国家攀登计划
  • 9个国家重点基础...
  • 8个国家高技术研...
  • 4个中国博士后科...
  • 4个国家教育部博...
  • 4个国家重点实验...
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  • 3个江苏省自然科...
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  • 3个中国科学院“...
  • 3个中国科学院重...
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传媒

  • 20个Journa...
  • 19个物理学报
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  • 7个发光学报
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  • 5个功能材料与器...
  • 5个激光与红外
  • 4个电子学报
  • 4个激光与光电子...
  • 4个光子学报
  • 3个光电子.激光

地区

  • 15个北京市
  • 3个上海市
  • 2个天津市
  • 1个陕西省
21 条 记 录,以下是 1-10
徐仲英
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 量子点 INGAAS/GAAS 自组织生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑宝真
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 光致发光 INGAAS/GAAS 自组织生长 砷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许继宗
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 自组织生长 砷化铟 MBE 光致发光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗昌平
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 超晶格 INGAAS/GAAS GAAS/ALAS 伏法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
金世荣
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:起偏器 半导体 INGAAS/GAAS 光学系统 步进马达
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕振东
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:自组织生长 砷化镓 砷化铟 INAS/GAAS 量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牛智川
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 量子点 GAAS 分子束外延生长 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨小平
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 超晶格 激子 砷化铝 自组织
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周增圻
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 GAAS MBE生长 分子束外延 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
褚君浩
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:铁电 铁电薄膜 红外探测器 HGCDTE HG
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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