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周祖尧

作品数：37 被引量：65H指数：5
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
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邹世昌
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子注入 离子束 硅 SOI 巨磁电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柳襄怀
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子束 离子束增强沉积 离子束辅助沉积 离子注入 电子发射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨根庆
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子束 离子注入 小卫星 硅 单粒子瞬态脉冲
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林成鲁
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子注入 SOI 硅 SIMOX 铁电薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑志宏
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子束 离子束增强沉积 血液相容性 氮化钛 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林梓鑫
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子注入 SOI 低剂量 硅 SIMOX
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
沈鸿烈
供职机构：南京航空航天大学材料科学与技术学院
研究主题：磁控溅射 太阳电池 多晶硅 巨磁电阻 多晶硅薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
江炳尧
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子束辅助沉积 离子注入 钼栅极 电子发射 低能
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王曦
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：衬底 SOI 硅 离子注入 绝缘体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏冠群
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：砷化镓 GAAS MESFET 离子注入 红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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