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高嵩

作品数:23 被引量:72H指数:6
供职机构:辽宁大学更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术自然科学总论更多>>

领域

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主题

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机构

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资助

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传媒

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地区

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  • 1个北京市
25 条 记 录,以下是 1-10
石广源
供职机构:辽宁大学物理学院
研究主题:特征导通电阻 VDMOSFET 噪声 物理模型 FET
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王中文
供职机构:辽宁大学物理学院
研究主题:VDMOSFET 特征导通电阻 导通电阻 功率VDMOSFET 击穿电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张颖
供职机构:辽宁大学
研究主题:VDMOSFET 氧化层厚度 终端 导通电阻 FET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴春瑜
供职机构:辽宁大学物理学院
研究主题:缓冲层 超突变结 透明阳极 变容二极管 集成门极换流晶闸管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
沈桂芬
供职机构:辽宁大学物理系
研究主题:多孔硅 线性度 微压传感器 压力传感器 光致发光
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赵野
供职机构:辽宁大学
研究主题:VDMOSFET 特征电阻 保护环 柱面 终端
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
石广元
供职机构:辽宁大学物理系
研究主题:VDMOSFET 碳化硅 6H-SIC 3C-SIC 球磨
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘兴辉
供职机构:辽宁大学物理学院
研究主题:碳纳米管 场发射 场发射显示器 阴极 ESD保护
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李严
供职机构:辽宁大学物理系
研究主题:场板 保护环 结终端技术 VDMOSFET 沟道长度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李永亮
供职机构:辽宁大学
研究主题:场板 结终端技术 保护环 VDMOSFET 沟道长度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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