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孙博韬

作品数:23 被引量:1H指数:1
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
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领域

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机构

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地区

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13 条 记 录,以下是 1-10
王立新
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:VDMOS 功率MOSFET器件 热阻 外延层 功率器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张彦飞
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:外延层 功率VDMOS器件 氧化层 功率器件 单粒子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋李梅
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:VDMOS 漂移区 LDMOS 功率VDMOS器件 外延层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
丁艳
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:外延层 栅氧化层 槽栅 表面层 MOS晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖超
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:外延层 VDMOS 热阻 掺杂 MOS晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩郑生
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高博
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:负温度系数 电性能参数 退火效应 热敏电阻材料 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗家俊
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 电路 集成电路 绝缘体上硅 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
单尼娜
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:VDMOS 场效应晶体管 辐照 阈值电压 金属氧化物半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘刚
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:背栅 硅化物 绝缘体上硅 总剂量 功率VDMOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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