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李志明

作品数:12 被引量:19H指数:3
供职机构:济南大学信息科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家科技重大专项国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术理学更多>>

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31 条 记 录,以下是 1-10
郝跃
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许晟瑞
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:成核 SUB 非极性 GAN 衬底
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张进成
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:成核 SUB 势垒层 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
白俊春
供职机构:西安电子科技大学技术物理学院
研究主题:MOCVD GAN CFD 发热体 环形槽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张进诚
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:发热体 环形槽 温度分布 阻断 淀积
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胡仕刚
供职机构:湖南科技大学信息与电气工程学院
研究主题:CMOS 教学 MOS器件 栅氧化层 超薄栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李培咸
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:成核 蓝宝石衬底 多量子阱 发光二极管 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周小伟
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:ALGAN 蓝宝石衬底 多量子阱 干法刻蚀 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张进城
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN_HEMT GAN 异质结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毕志伟
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:MOCVD GAN外延层 薄膜应力 拉曼 外延层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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