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吴素贞

作品数：29 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

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地区

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共 21 条 记 录，以下是 1-10
洪根深
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：抗辐射 反熔丝 SOI 总剂量 单粒子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐海铭
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：单粒子 半导体功率器件 抗辐射 淀积 反熔丝
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐政
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：单粒子 半导体功率器件 抗辐射 多晶 功率器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵文彬
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：反熔丝 单粒子 抗辐射 CMOS工艺 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑若成
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：反熔丝 淀积 编程 总剂量 抗辐射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢儒彬
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：抗辐射 单粒子 总剂量辐射 总剂量 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李燕妃
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：单粒子 抗辐射 NPN 发射结 集成电路技术
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘国柱
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：抗辐射 高可靠 浮栅 反熔丝 总剂量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王印权
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：反熔丝 淀积 编程 半导体工艺 浮栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贺琪
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：单粒子 抗辐射 NPN 高抗 发射结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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