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金刚石粉末淀积层的场发射性能研究: 研究了金刚石粉末淀积层的场发射性能。采用三种方法在钨衬底和硅衬底上淀积金刚石粉末（Powder），并分别做了Ⅰ-Ⅴ测试、发光测试、稳定性测试、寿命测试，对其发射做了一定的解释。; 周江云李琼范忠诸玉坤徐静芳; 关键词：场发射

涂布法制备碳纳米管场发射阴极及其性能的研究被引量：13: 2002年; 碳纳米管（CNT）作为场发射阴极（FEC）具有很好的性能。报导了利用粉末状碳纳米管制作CNT-FEC的方法,包括涂布方法、纯化方法和表面处理方法。主要关心的FEC性能为电子发射均匀性、电流密度和寿命。; 冯涛柳襄怀王曦李琼徐静芳诸玉坤; 关键词：场发射阴极碳纳米管 FEC

类金刚石薄膜作为阴极阵列的场发射显示器研制被引量：11: 2002年; 采用真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的类金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能。通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能。测试表明,DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能,阈值电场达到了2.1V/μm,当场强为14.3V/μm时,电流密度达到了1.23mA/cm2。利用图形化的DLC薄膜作为阴极,设计和制作了矩阵选址单色场发射显示器(FED)样管。; 冯涛茅东升李炜柳襄怀王曦张福民李琼徐静芳诸玉坤; 关键词：类金刚石薄膜场发射显示器

高sp^3键含量无氢非晶金刚石薄膜——出色的电子场发射材料被引量：2: 1999年; 采用真空磁过滤弧沉积的方法 ,制备了高sp3 键含量 ( >90 % )的无氢非晶金刚石薄膜 .研究表明 ,金刚石薄膜具有优异的电子场发射性能 .在电场强度为5V/μm时 ,可产生 5 .4μA的发射电流 .在一定的电场下 ,电流密度可达到几个mA/cm2 .在发射电流为 5 0 μA的情况下 ,薄膜连续工作数天 ,电流的偏差不超过5 % ,表现出电子发射的稳定性 .同时还观察到了大面积的电子发射现象 .由于薄膜微观表面非常平整 ,所以不存在场增强几何因子的作用 ,利用F N理论可计算得到其表面功函数不大于 0 .0 5eV .由于其非晶组织的均匀性 ,使其表面各个部位具有较为一致的功函数 ,因而造成薄膜均匀、稳定的电子发射 .; 茅东升赵俊李炜王曦柳襄怀诸玉坤李琼徐静芳; 关键词：金刚石薄膜显示器 CVD

ZnO：Zn荧光薄膜的制备和表征及FED器件样管的制作: 离子束溅射的方法制备了用于场发射平板显示器（FED）的ZnO：Zn荧光薄膜，对所得薄膜进行了热处理，并对薄膜的成分、结构和荧光特性进行了表征。结果表明，适当的热处理温度和气氛可以提高ZnO：Zn荧光薄膜的荧光强度。此外，...; 李炜赵俊茅东升张福民郑志宏王曦柳襄怀金松诸玉坤李琼徐静芳; 关键词：荧光薄膜场发射

界面过渡层对非晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响被引量：4: 1999年; 在Au/Si和Ti/Si和Si 3种不同的衬底材料上 ,通过真空磁过滤弧源沉积技术制备了无氢高sp3 键含量非晶金刚石薄膜 (amorphousdiamond ,AD) .使用阳极覆盖有低压荧光粉的二极管型结构 ,对其电子场发射性能和荧光显示进行了研究 .测试表明 ,衬底过渡层对非晶金刚石薄膜的场发射行为产生重大的影响 .通过二次离子质谱 (SIMS)测试分析了AD/Ti/Si和AD/Si中界面的成分分布 .由于Ti和C之间的互扩散和反应 ,存在一定的浓度梯度 ,形成了衬底和AD薄膜之间良好的接触 ,有效降低了界面的接触势垒高度 ,使电子容易从衬底进入到AD薄膜中去 ,从而显著改善了AD薄膜的电子场发射性能 .在电场强度E =1 9 7V/ μm时 ,获得的电子场发射电流密度为 0 35 2mA/cm2 ,大大高于同场强下AD/Au/Si和Au/Si的数值 .; 茅东升赵俊李炜王曦柳襄怀诸玉坤范忠周江云李琼徐静芳; 关键词：非晶金刚石薄膜

金刚石薄膜电子场发射研究进展被引量：4: 1998年; 综述了近年来金刚石和类金刚石薄膜电子场发射性能的研究进展。金刚石薄膜是出色的场发射材料,由于其很低的或者是负的电子亲和势(导带能级位于真空能级之上)和良好的化学稳定性,在真空微电子和场发射显示领域具有广阔的应用前景。; 茅东升赵俊李炜王曦柳襄怀诸玉坤周江云范忠李琼徐静芳; 关键词：金刚石

离子束溅射制备ZnO:Zn荧光薄膜被引量：9: 2001年; 用离子束溅射法制备了用于场发射显示器（ＦＥＤ）的ＺｎＯ：Ｚｎ荧光薄膜采用ＲＢＳ、ＸＲＤ、ＡＦＭ、Ｈａｌｌ和ＰＬ谱等手段表征了热处理前后的薄膜ＲＢＳ结果表明薄膜中存在一定数量的过量Ｚｎ．沉积态的薄膜中同时含有非晶相和晶相，其表面形貌表现出多种结构Ｈａｌｌ检测发现，升高热处理温度能降低薄膜中的自由载流子浓度，说明过量Ｚｎ含量的下降；当热处理温度超过４００℃时，Ｈａｌｌ迁移率迅速上升，表明薄膜结晶性能的改善在ＺｎＯ：Ｚｎ薄膜的ＰＬ谱中检测到紫外／紫光、蓝／绿光两组荧光峰，一价氧空位（Ｖｏ）充当了蓝／绿光的发光中心薄膜的光致发光强度受热处理温度的影响很大，可能的原因包括薄膜结构缺陷的修复、成分均匀化和过量Ｚｎ的蒸发。; 李炜茅东升张福民王曦柳襄怀邹世昌诸玉坤李琼徐静芳; 关键词：荧光薄膜光致发光场发射显示器离子束溅射

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诸玉坤