乔双双
- 作品数：4 被引量：14H指数：2
- 供职机构：辽宁师范大学物理与电子技术学院更多>>
- 发文基金：辽宁省教育厅高校重点实验室项目国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 自催化脉冲激光沉积方法制备ZnO纳米棒阵列被引量：3
- 2009年
- 采用脉冲激光沉积方法在ZnO作为缓冲层的InP(100)衬底上制备了高密度ZnO纳米棒阵列.扫描电子显微镜图像显示ZnO缓冲层形成较为均匀的岛状结构,ZnO纳米棒具有垂直于衬底的统一生长方向.X射线衍射测试在34.46°出现尖锐的衍射峰,说明ZnO纳米棒具有(002)择优取向.PL谱在380nm出现强的近带边发射峰,在495nm出现弱的深能级发射峰,表明ZnO纳米棒具有较好的光学性质.本实验制备的高质量ZnO纳米棒阵列有望在现在和未来的纳米器件制作中得到应用.
- 于东麒胡礼中李娇胡昊林颂恩张贺秋陈希付强乔双双
- 关键词：氧化锌纳米棒阵列缓冲层自催化脉冲激光沉积
- ZnO纳米线场效应管的制备及I-V特性研究被引量：9
- 2008年
- 采用静电探针和原子力探针技术,将化学气相沉积工艺制备的,长度为30—200μm,直径80—750 nm的单根半导体ZnO纳米线搭接在Au,Zn,Al不同功函的金属隔离沟道两端,构建出了最基本的ZnO纳米线绝缘栅场效应管.研究了沟道类型、纳米线直径、退火温度和外加栅压对ZnO纳米线场效应管I-V特性的影响.利用半导体与金属材料的肖特基接触、欧姆接触的产生机理及电子输运理论,对结果进行了分析和讨论.
- 张威李梦轲魏强曹璐杨志乔双双
- 关键词：ZNO纳米线场效应管I-V特性
- CdS_xSe_(1-x)量子点异常的变温光致发光谱特性研究
- 2010年
- 采用一种简单的旋涂热蒸发方法在InP衬底上制备出CdSxSe1-x量子点.利用变温光致发光谱(温度范围:10～300K)研究CdSxSe1-x量子点的光学特性.在温度为180～200K范围内,光致发光谱的积分强度随温度升高呈现出一种异常现象.当温度由10K升至300K时,带隙能红移61.34meV.根据Vegard定律,由X射线衍射数据和室温光致发光谱峰位能量计算得到CdSxSe1-x量子点中S和Se的成分比为0.9:0.1.此外,通过光致发光谱峰位能量和曲线拟合得到CdS0.9Se0.1量子点材料Varshni关系参数为:α=(3.5±0.1)10-4eV/K,β=(210±10)K.
- 于东麒陈希张贺秋胡礼中乔双双孙开通
- 关键词：量子点
- 氧化锌纳米结构的制备及性能表征
- 氧化锌(ZnO)是一种宽禁带直接带隙II-VI族半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，具有较大的激子束缚(60meV)，是制备下一代短波长发光二极管(LED)和激光器的最佳选择之一。而且，ZnO和当今熟悉的材料相比，...
- 乔双双
- 关键词：II-VI族半导体材料化学气相沉积热蒸发法P型掺杂
- 文献传递
