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程曦

作品数：3 被引量：7H指数：2
供职机构：四川大学材料科学与工程学院材料科学系更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学

主题

  • 2篇电阻率
  • 2篇红外
  • 2篇XRD
  • 1篇形貌
  • 1篇透射
  • 1篇透射谱
  • 1篇退火
  • 1篇碲锌镉
  • 1篇漏电
  • 1篇漏电流
  • 1篇晶片
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇光谱
  • 1篇红外光
  • 1篇红外光谱
  • 1篇红外透射谱
  • 1篇TE
  • 1篇ZN
  • 1篇表面处理

机构

  • 3篇四川大学

作者

  • 3篇方军
  • 3篇朱世富
  • 3篇赵北君
  • 3篇高德友
  • 3篇张冬敏
  • 3篇程曦
  • 2篇唐世红
  • 2篇何知宇
  • 1篇王智贤
  • 1篇陈俊

传媒

  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
碲锌镉单晶片的退火方法被引量：2
2008年
探索了一种Cd1-xZnxTe(CZT)探测器晶片退火的新装置和新方法,该装置可以方便有效的对CZT单晶片进行同组分源退火研究。利用XRD、红外透射谱和晶体电阻率表征了采用该装置在富Cd的同组分CZT粉末源包裹下,选择适宜的退火温度和时间进行退火后的CZT单晶片,晶片的电阻率有一定的提高,红外透过率有一定改善。XRD分析表明,经过退火后,CZT单晶片中的Cd组分含量有一定增加。采用该方法退火后,晶体品质有一定提高。
高德友赵北君朱世富唐世红何知宇张冬敏方军程曦
关键词：退火电阻率XRD红外透射谱
Cd_(0.80)Zn_(0.20)Te晶体的生长及性能研究
2007年
用本实验室合成的Ca0．80Zn0．20Te多晶料为原料，采用改进的布里奇曼法在镀碳和未镀碳的石英安瓿中生长出Ca0．80Zn0．20Te晶锭。使用X射线衍射仪对合成产物及晶锭进行了分析，生长晶体的X射线衍射峰尖锐，摇摆谱对称，表明晶锭的结晶性能较好；用IRPrestige-21红外光谱仪分析了晶体的红外透射光谱，测试结果表明安瓿镀碳后生长的晶体位错密度小，均匀性较好，电阻率优于未镀碳安瓿生长的晶体；晶体的蚀坑密度在10^3-10^4cm^-2之间，比未镀碳安瓿生长的晶体低1个数量级。
方军赵北君朱世富何知宇高德友张冬敏程曦王智贤
关键词：碲锌镉晶体生长XRD红外光谱
CdZnTe探测器晶片的表面处理工艺被引量：5
2006年
报道了CdZnTe探测器晶片表面钝化工艺对其性能的影响。先采用金相砂纸和化学腐蚀剂对CdZnTe晶片进行机械和化学抛光，然后分别用H2O2溶液和NH4F／H2O2溶液对晶片进行湿法钝化；再用ZC36微电流测试仪和扫描电镜测试研究了不同钝化时间对CdZnTe晶片电学性质和表面形态的影响。结果发现：用NH4F／H2O2溶液对CdZnTe探测器晶片进行钝化30min，晶片表面形成一层完整的高阻氧化层，表面漏电流最小、晶体电阻率提高1-2个数量级，达到10^9-10 Ω·cm，适合探测器的制备。
张冬敏朱世富赵北君高德友陈俊唐世红方军程曦
关键词：表面处理漏电流电阻率形貌
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