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胡泽先

作品数：19 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信经济管理金属学及工艺化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 6篇退火
  • 6篇欧姆接触
  • 5篇电极
  • 5篇欧姆接触电极
  • 5篇接触电极
  • 4篇刻蚀
  • 4篇击穿电压
  • 4篇二极管
  • 4篇高温退火
  • 4篇GAN_HE...
  • 3篇势垒
  • 3篇势垒层
  • 3篇介质层
  • 3篇半导体
  • 2篇氮化镓
  • 2篇电镀
  • 2篇电阻
  • 2篇淀积
  • 2篇圆片
  • 2篇源区

机构

  • 18篇中国电子科技...

作者

  • 18篇胡泽先
  • 9篇张力江
  • 8篇崔玉兴
  • 8篇谭永亮
  • 6篇付兴中
  • 5篇李保第
  • 5篇宋洁晶
  • 3篇卜爱民
  • 3篇高渊
  • 3篇吕元杰
  • 3篇冯志红
  • 2篇付兴昌
  • 2篇马杰
  • 2篇廖龙忠
  • 2篇刘飞飞
  • 2篇王川宝
  • 2篇周国
  • 1篇默江辉
  • 1篇吕树海
  • 1篇王强栋

传媒

  • 1篇世界有色金属

年份

  • 2篇2024
  • 5篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2016
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GaN HEMT器件欧姆接触电极及GaN HEMT器件
本实用新型适用于半导体技术领域，提供了一种GaN HEMT器件欧姆接触电极，所述GaN晶圆的势垒层的上表面与源电极区和漏电极区对应的部分分别设有欧姆接触金属层，所述欧姆接触金属层从下至上依次包括Ti金属层、Al金属层、T...
崔玉兴谭永亮樊帆毕胜赢胡泽先张力江
文献传递
一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法。该制备方法，包括：在n型氧化镓沟道层、源电极和金属掩膜的表面制备光刻胶，随后对光刻胶进行烘烤和回流处理，形成光刻胶斜面；在光刻胶斜面上垂直注入元素，形...
刘宏宇吕元杰孙保瑞王元刚李保第胡泽先韩仕达卜爱民冯志红
集成电路接地孔和信号连接压点的引出制备方法及结构
本发明适用于半导体技术领域，提供了一种集成电路接地孔和信号连接压点的引出制备方法及结构，该方法包括：通过在完成正面工艺的圆片上表面制备BCB层，刻蚀BCB层，露出接地孔压点和信号连接压点；在刻蚀BCB层后的圆片上表面制备...
廖龙忠谭永亮高渊胡泽先付兴中张力江
文献传递
微孔互连无氰电镀金工艺研究
2016年
针对高深宽比互连微孔内金镀层存在空洞问题，使用挂镀电镀台和喷镀电镀台在不同电流密度下进行了微孔互连电镀实验，研究了两种电镀台电镀过程中镀液流场的差异，分析了两种电镀台电镀结果存在明显差异的原因。采用FIB对电镀样品互连孔的剖面进行观察，结果显示，使用喷镀电镀台电流密度为0．2ASD时，介质孔内金镀层未见空洞，金镀层与介质孔壁之间无裂纹。确定介质孔内金镀层形成空洞的原因为：随着电镀进行，介质孔内镀液浓度降低，镀速下降，逐渐形成“自掩蔽”空洞。喷镀电镀具有可以促进孔内镀液交换，实现高深宽比微孔实心镀金的优势，是今后微孔实心电镀发展的重要方向之一。
王川宝胡泽先王伟
PIN二极管及其制备方法
本发明提供一种PIN二极管及其制备方法，其中，制备方法包括在N+衬底层的一面依次制备一层N‑外延层和一层P型欧姆接触层；按照预设刻蚀窗口对P型欧姆接触层进行刻蚀以形成台面结构；在台面结构上制备一层磨抛中止层，在磨抛中止层...
李保第侯钧杰周国付兴中毕胜赢朱延超胡泽先宋洁晶张力江崔玉兴
一种GaN HEMT器件及制备方法
本发明提供了一种GaN HEMT器件及制备方法，属于半导体器件制备技术领域，GaN HEMT器件包括基底、欧姆电极、二氧化硅介质层、氮化硅介质层和栅金属层，制备方法包括在基底上制作欧姆电极‑依次形成二氧化硅介质层和氮化硅...
廖龙忠谭永亮高渊胡泽先付兴中张力江
文献传递
GaN HEMT器件欧姆接触电极的制作方法、电极及HEMT器件
本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN HEMT器件欧姆接触电极的制作方法、电极及HEMT器件，该方法包括：在GaN晶圆的势垒层的上表面与源电极区和漏电极区对应的部分分别形成欧姆接触金属层，所述欧姆接触金属层从下至...
崔玉兴谭永亮樊帆毕胜赢胡泽先张力江
文献传递
GaN基器件欧姆接触电极的制备方法
本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN基器件欧姆接触电极的制备方法，该方法包括以下步骤：在器件的上表面生长第一介质层；在所述第一介质层与欧姆接触电极区对应的区域和所述器件的所述欧姆接触电极区注入硅离子和/或铟离子；...
谭永亮吕鑫赵红刚胡泽先崔玉兴付兴昌
文献传递
氮化镓限幅器及氮化镓限幅器的制备方法
本发明提供一种氮化镓限幅器及氮化镓限幅器的制备方法。该氮化镓限幅器包括：三级限幅电路，三级限幅电路按照氮化镓限幅器的主传输线的信号传输方向依次接入主传输线；第一级限幅电路中包括2N个氮化镓PIN二极管；任意N个氮化镓PI...
吕元杰梁士雄郝晓林宋洁晶胡泽先刘飞飞刘京亮徐森锋卜爱民冯志红
叉指型变容二极管及其制备方法
本发明提供一种叉指型变容二极管及其制备方法，其中，制备方法包括在P型欧姆接触层上的第一预设区域制备第一叉指P型欧姆接触电极；对设有第一叉指P型欧姆接触电极的P型欧姆接触层进行刻蚀，使得刻蚀后得到的刻蚀台面的侧壁与N型欧姆...
付兴中侯钧杰周国宋洁晶李保第戴峰胡泽先刘亚亮张力江崔玉兴
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共2页<12>
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