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胡泽先
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19
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供职机构:
中国电子科技集团第十三研究所
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相关领域:
电子电信
经济管理
金属学及工艺
化学工程
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合作作者
张力江
中国电子科技集团第十三研究所
谭永亮
中国电子科技集团第十三研究所
崔玉兴
中国电子科技集团第十三研究所
付兴中
中国电子科技集团第十三研究所
宋洁晶
中国电子科技集团第十三研究所
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GaN HEMT器件欧姆接触电极及GaN HEMT器件
本实用新型适用于半导体技术领域,提供了一种GaN HEMT器件欧姆接触电极,所述GaN晶圆的势垒层的上表面与源电极区和漏电极区对应的部分分别设有欧姆接触金属层,所述欧姆接触金属层从下至上依次包括Ti金属层、Al金属层、T...
崔玉兴
谭永亮
樊帆
毕胜赢
胡泽先
张力江
文献传递
一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法。该制备方法,包括:在n型氧化镓沟道层、源电极和金属掩膜的表面制备光刻胶,随后对光刻胶进行烘烤和回流处理,形成光刻胶斜面;在光刻胶斜面上垂直注入元素,形...
刘宏宇
吕元杰
孙保瑞
王元刚
李保第
胡泽先
韩仕达
卜爱民
冯志红
集成电路接地孔和信号连接压点的引出制备方法及结构
本发明适用于半导体技术领域,提供了一种集成电路接地孔和信号连接压点的引出制备方法及结构,该方法包括:通过在完成正面工艺的圆片上表面制备BCB层,刻蚀BCB层,露出接地孔压点和信号连接压点;在刻蚀BCB层后的圆片上表面制备...
廖龙忠
谭永亮
高渊
胡泽先
付兴中
张力江
文献传递
微孔互连无氰电镀金工艺研究
2016年
针对高深宽比互连微孔内金镀层存在空洞问题,使用挂镀电镀台和喷镀电镀台在不同电流密度下进行了微孔互连电镀实验,研究了两种电镀台电镀过程中镀液流场的差异,分析了两种电镀台电镀结果存在明显差异的原因。采用FIB对电镀样品互连孔的剖面进行观察,结果显示,使用喷镀电镀台电流密度为0.2ASD时,介质孔内金镀层未见空洞,金镀层与介质孔壁之间无裂纹。确定介质孔内金镀层形成空洞的原因为:随着电镀进行,介质孔内镀液浓度降低,镀速下降,逐渐形成“自掩蔽”空洞。喷镀电镀具有可以促进孔内镀液交换,实现高深宽比微孔实心镀金的优势,是今后微孔实心电镀发展的重要方向之一。
王川宝
胡泽先
王伟
PIN二极管及其制备方法
本发明提供一种PIN二极管及其制备方法,其中,制备方法包括在N+衬底层的一面依次制备一层N‑外延层和一层P型欧姆接触层;按照预设刻蚀窗口对P型欧姆接触层进行刻蚀以形成台面结构;在台面结构上制备一层磨抛中止层,在磨抛中止层...
李保第
侯钧杰
周国
付兴中
毕胜赢
朱延超
胡泽先
宋洁晶
张力江
崔玉兴
一种GaN HEMT器件及制备方法
本发明提供了一种GaN HEMT器件及制备方法,属于半导体器件制备技术领域,GaN HEMT器件包括基底、欧姆电极、二氧化硅介质层、氮化硅介质层和栅金属层,制备方法包括在基底上制作欧姆电极‑依次形成二氧化硅介质层和氮化硅...
廖龙忠
谭永亮
高渊
胡泽先
付兴中
张力江
文献传递
GaN HEMT器件欧姆接触电极的制作方法、电极及HEMT器件
本发明适用于半导体技术领域,提供了一种GaN HEMT器件欧姆接触电极的制作方法、电极及HEMT器件,该方法包括:在GaN晶圆的势垒层的上表面与源电极区和漏电极区对应的部分分别形成欧姆接触金属层,所述欧姆接触金属层从下至...
崔玉兴
谭永亮
樊帆
毕胜赢
胡泽先
张力江
文献传递
GaN基器件欧姆接触电极的制备方法
本发明适用于半导体技术领域,提供了一种GaN基器件欧姆接触电极的制备方法,该方法包括以下步骤:在器件的上表面生长第一介质层;在所述第一介质层与欧姆接触电极区对应的区域和所述器件的所述欧姆接触电极区注入硅离子和/或铟离子;...
谭永亮
吕鑫
赵红刚
胡泽先
崔玉兴
付兴昌
文献传递
氮化镓限幅器及氮化镓限幅器的制备方法
本发明提供一种氮化镓限幅器及氮化镓限幅器的制备方法。该氮化镓限幅器包括:三级限幅电路,三级限幅电路按照氮化镓限幅器的主传输线的信号传输方向依次接入主传输线;第一级限幅电路中包括2N个氮化镓PIN二极管;任意N个氮化镓PI...
吕元杰
梁士雄
郝晓林
宋洁晶
胡泽先
刘飞飞
刘京亮
徐森锋
卜爱民
冯志红
叉指型变容二极管及其制备方法
本发明提供一种叉指型变容二极管及其制备方法,其中,制备方法包括在P型欧姆接触层上的第一预设区域制备第一叉指P型欧姆接触电极;对设有第一叉指P型欧姆接触电极的P型欧姆接触层进行刻蚀,使得刻蚀后得到的刻蚀台面的侧壁与N型欧姆...
付兴中
侯钧杰
周国
宋洁晶
李保第
戴峰
胡泽先
刘亚亮
张力江
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