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柳襄怀

作品数：140 被引量：575H指数：12
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
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共 152 条 记 录，以下是 1-10
王曦
供职机构：清华大学
研究主题：衬底 SOI 硅 离子注入 绝缘体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邹世昌
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子注入 离子束 硅 SOI 巨磁电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑志宏
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子束 离子束增强沉积 血液相容性 氮化钛 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
江炳尧
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子束辅助沉积 离子注入 钼栅极 电子发射 低能
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯涛
供职机构：华东师范大学
研究主题：碳纳米管 场发射 离子束辅助沉积 场发射显示器 电子发射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任琮欣
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子束辅助沉积 超导薄膜 YBCO YBA 钼栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李琼
供职机构：华东师范大学
研究主题：场发射显示器 硅 碳纳米管 场发射 场发射阵列
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨根庆
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子束 离子注入 小卫星 单粒子瞬态脉冲 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐静芳
供职机构：华东师范大学
研究主题：硅 冷阴极 场发射 场发射阵列 场发射显示器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张峰
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题：血液相容性 氧化钛 氧化钛薄膜 离子注入 热解碳
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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